[发明专利]可编程电路及其编程方法、读取方法

说明书

本发明提供一种可编程电路及其编程方法、读取方法，所述可编程电路包括：第一选择单元、第二选择单元、第一编程单元、第二编程单元、第一控制单元以及第二控制单元。所述第一选择单元、所述第一编程单元及第一控制单元串联相接；所述第二编程单元的第一端与所述第一编程单元及所述第一控制单元连接；所述第二编程单元的第二端与所述第二选择单元及所述第二控制单元连接。当对第一编程单元编程时，所述第一选择单元、所述第一编程单元和第二控制单元形成通路。当对第二编程单元编程时，所述第二选择单元、所述第二编程单元和第一控制单元形成通路。本发明通过设置两个编程单元，并能够形成两条编程通路，以实现两次编程的功能，提高器件的性能。

技术领域

本发明涉及集成电路制造技术领域，特别涉及一种可编程电路及其编程方法、读取方法。

背景技术

常见的一次性可编程存储器(One Time Programable，OTP)结构包括反熔丝(Anti-Electrically Programmable fuse，Anti-Efuse)和电熔丝(ElectricallyProgrammable fuse，Efuse)两大类。反熔丝是通过击穿多晶硅层和N+扩散层之间的ONO(Oxide－Nitride－Oxide)绝缘层，使得两层之间的电阻值发生变化，导致等效逻辑值改变的方式进行编程。电熔丝则是依据电子迁移(Electromigration，EM)特性，通过熔断熔丝，导致熔丝两端电阻值改变的方式实现芯片编程。这两种OTP都采用标准CMOS工艺，单元面积小，降低总成本，安全性好，特别是两者内部互连结构是具有天生“防辐射”能力，相对不受电磁辐射的影响，这对航空航天、军事、核工业等应用具有特别的吸引力，但这些OTP结构的缺点也很明显：存储器只能编程一次，极大地限制了用户现场使用条件和产品生产测试能力，冗余性差。

因此，为了解决上述问题，需要提出一种可再次编程的电路，以实现二次编程，增强器件性能。

发明内容

本发明的目的在于提供一种可编程电路及其编程方法、读取方法，以解决如何实现反熔丝电路的二次编程问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种可编程电路，包括：第一选择单元、第二选择单元、第一编程单元、第二编程单元、第一控制单元以及第二控制单元；

所述第一选择单元、所述第一编程单元以及第一控制单元依次串联相接；所述第二编程单元的第一端与所述第一编程单元以及所述第一控制单元连接；所述第二编程单元的第二端与所述第二选择单元以及所述第二控制单元连接；

当对所述第一编程单元编程时，所述第一选择单元、所述第一编程单元和所述第二控制单元形成通路；

当对所述第二编程单元编程时，所述第二选择单元、所述第二编程单元和所述第一控制单元形成通路。

可选的，在所述的可编程电路中，所述第一编程单元为反熔丝晶体管，所述第二编程单元为电熔丝；所述第一选择单元、所述第二选择单元、所述第一控制单元以及所述第二控制单元均为MOS管。

可选的，在所述的可编程电路中，所述第一选择单元的源极与所述第一编程单元的栅极连接。

可选的，在所述的可编程电路中，所述第一编程单元的源极与所述第一控制单元的漏极连接。

可选的，在所述的可编程电路中，所述第二编程单元的第一端与所述第一编程单元的源极以及所述第一控制单元的漏极连接；所述第二编程单元的第二端与所述第二选择单元的源极以及所述第二控制单元的漏极连接。

可选的，在所述的可编程电路中，所述第一控制单元的源极和所述第二控制单元的源极均接地。

可选的，在所述的可编程电路中，所述可编程电路还包括输出比较单元，所述输出比较单元与所述第一选择单元的漏极以及所述第一编程单元的栅极连接；所述输出比较单元用于提供参考电流，并与流经所述第一编程单元的电流值比较，以转换成逻辑值输出。