[发明专利]一种基于铁电半导体和薄层二维材料的光电探测器

权利要求书

1.一种基于铁电半导体和薄层二维材料的光电探测器，其特征在于，包括掺杂硅衬底(1)、电介质层(2)、二维材料薄膜层(4)、α-硒化铟二维铁电半导体层(3)及两个金属电极(5)，其中，掺杂硅衬底(1)、电介质层(2)、二维材料薄膜层(4)及α-硒化铟二维铁电半导体层(3)自下到上依次分布，一个金属电极(5)位于α-硒化铟二维铁电半导体层(3)上，另一个金属电极(5)位于二氧化铪电介质层(2)上。

2.根据权利要求1所述的基于铁电半导体和薄层二维材料的光电探测器，其特征在于，掺杂硅衬底(1)为n-掺杂硅衬底或者p-掺杂硅衬底。

3.根据权利要求1所述的基于铁电半导体和薄层二维材料的光电探测器，其特征在于，电介质层(2)的厚度为10-15nm。

4.根据权利要求1所述的基于铁电半导体和薄层二维材料的光电探测器，其特征在于，α-硒化铟二维铁电半导体层(3)的厚度为50-100nm。

5.根据权利要求1所述的基于铁电半导体和薄层二维材料的光电探测器，其特征在于，二维材料薄膜层(4)的厚度小于5nm。

6.根据权利要求1所述的基于铁电半导体和薄层二维材料的光电探测器，其特征在于，α-硒化铟二维铁电半导体层(3)与二维材料薄膜层(4)构成P-N结结构。

7.根据权利要求1所述的基于铁电半导体和薄层二维材料的光电探测器，其特征在于，电介质层(2)为二氧化铪电介质层。

8.根据权利要求1所述的基于铁电半导体和薄层二维材料的光电探测器，其特征在于，二维材料薄膜层(4)的材料为石墨烯、过渡金属硫化物或六方氮化硼。

9.根据权利要求1所述的基于铁电半导体和薄层二维材料的光电探测器，其特征在于，金属电极(5)为铬金复合电极，金属电极(5)中铬的厚度为10nm，金属电极(5)中金的厚度为50nm。