[发明专利]显示基板及其制备方法、掩膜版有效
申请号: | 202010760861.5 | 申请日: | 2020-07-31 |
公开(公告)号: | CN111863926B | 公开(公告)日: | 2022-12-02 |
发明(设计)人: | 高文辉;张锴;胡文博;王领然 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;H01L27/12 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制备 方法 掩膜版 | ||
1.一种显示基板,其特征在于,包括:
衬底;
第一导电图案层,所述第一导电图案层设置在所述衬底上,所述第一导电图案层包括:多个第一导电图案;
第一绝缘层,所述第一绝缘层位于所述第一导电图案层远离所述衬底的一侧,所述第一绝缘层上具有多个开口部;以及
第二导电图案层,所述第二导电图案层可反光且位于所述第一绝缘层远离所述衬底的一侧,所述第二导电图案层包括多条大致平行的导电线;
每条导电线通过至少一个开口部与至少一个所述第一导电图案电连接,所述导电线在所述至少一个开口部上的部分与所述至少一个开口部共形;每个开口部包括沿所述导电线的宽度方向相对的第一侧壁和第二侧壁,不同开口部的第一侧壁的倾斜方向相同,不同开口部的第二侧壁的倾斜方向相同;至少两条所述导电线对应的第一侧壁的坡度角之差大于5°,和/或,至少两条所述导电线对应的第二侧壁的坡度角之差大于5°。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述坡度角的取值范围为20°~80°。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述多条大致平行的导电线中包括栅线、发光控制线中的至少一者,或者,包括数据线、电源线、时钟信号线中的至少一者。
4.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第二导电图案层还包括:多个第一电极;
所述显示基板还包括:依次设置于每个第一电极远离所述衬底一侧的发光功能层和第二电极,所述第一电极、所述发光功能层和所述第二电极组成发光器件;
所述第一绝缘层为平坦层。
5.根据权利要求1~4任一项所述的显示基板,其特征在于,还包括:
沿所述第一导电图案层靠近所述衬底的一侧依次设置的第二绝缘层和第三导电图案层,所述第三导电图案层包括多个第三导电图案;一个第三导电图案与一个所述第一导电图案通过第二绝缘层上的过孔电连接;
所述导电线通过至少一个所述第一导电图案与至少一个第三导电图案电连接。
6.一种用于制作如权利要求1-4任一项所述的显示基板中的第一绝缘层的掩膜版,其特征在于,包括:
掩膜本体;
设置在掩膜本体上的多个透光部,每个透光部被配置为形成一个所述第一绝缘层上的开口部;
每个所述透光部均包括全透图案,所述全透图案具有最大透过率;至少一个所述透光部还包括:沿所述显示基板中所述导电线的宽度方向,位于所述全透图案至少一侧且与所述全透图案连接的半透图案,每个半透图案的透过率小于所述最大透过率,所述半透图案的透过率被配置为形成与所述半透图案对应的所述开口部的一侧壁的坡度角。
7.根据权利要求6所述的掩膜版,其特征在于,
所述半透图案为半色调掩膜图案;或者,所述半透图案为灰色调掩膜图案。
8.一种用于制作如权利要求1-4任一项所述的显示基板中的第一绝缘层的掩膜版,其特征在于,包括:
掩膜本体;
设置在掩膜本体上的多个遮光部,每个遮光部被配置为形成一个所述第一绝缘层上的开口部;
每个所述遮光部均包括遮光图案,所述遮光图案具有最小透过率;至少一个所述遮光部还包括:沿所述显示基板中所述导电线的宽度方向,位于所述遮光图案至少一侧且与所述遮光图案连接的半透图案,每个半透图案的透过率大于所述最小透过率,所述半透图案的透过率被配置为形成与所述半透图案对应的所述开口部的一侧壁的坡度角。
9.根据权利要求8所述的掩膜版,其特征在于,
所述半透图案为半色调掩膜图案;或者,所述半透图案为灰色调掩膜图案。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-5任一项所述的显示基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的