[发明专利]一种紫外LED芯片结构有效
| 申请号： | 202010761695.0 | 申请日： | 2020-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN111769187B | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 周启航 | 申请（专利权）人： | 佛山紫熙慧众科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙) 44377 | 代理人： | 陈志超;唐敏珊 |
| 地址： | 528226 广东省佛山市南海区狮山镇罗*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 紫外 led 芯片 结构 | ||
1.一种紫外LED芯片结构，其特征在于，包括由下至上依次设置的n型层、有源区多量子阱和p型层，在p型层的上表面设置一层AlN/AlGaN空穴电流扩展异质结构，所述AlN/AlGaN空穴电流扩展异质结构包括由下至上依次设置的AlGaN层和AlN层，所述AlN/AlGaN空穴电流扩展异质结构中AlN的厚度小于20nm大于3nm；所述AlN/AlGaN空穴电流扩展异质结构中AlGaN的厚度小于50nm大于5nm；所述的AlN/AlGaN空穴电流扩展异质结构在其异质界面中形成载流子迁移率23cm2/（伏·秒）以上的空穴沟。
2.根据权利要求1所述的紫外LED芯片结构，其特征在于，所述n型层为氮化物N型层。
3.根据权利要求1所述的紫外LED芯片结构，其特征在于，所述p型层为氮化物p型层。
4.根据权利要求1所述的紫外LED芯片结构，其特征在于，还包括衬底和缓冲层，所述衬底、缓冲层、n型层、有源区多量子阱、p型层由下至上依次设置。
5.根据权利要求1所述的紫外LED芯片结构，其特征在于，所述AlN/AlGaN空穴电流扩展异质结构外延在紫外芯片的氮化物p型层表面，其中AlGaN中的Al组分的质量占整个AlN/AlGaN空穴电流扩展异质结构质量的百分比介于0到30%之间。
6.根据权利要求1所述的紫外LED芯片结构，其特征在于，所述AlN/AlGaN空穴电流扩展异质结构表面的金属电极位于紫外LED芯片的表面边缘处。
7.根据权利要求1所述的紫外LED芯片结构，其特征在于，所述AlN/AlGaN空穴电流扩展异质结构表面的金属电极原子利用热扩散或者离子注入的方式扩散进入AlN/AlGaN空穴电流扩展异质结构的沟道中。
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