[发明专利]一种新型紫外LED芯片结构在审
| 申请号： | 202010761702.7 | 申请日： | 2020-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN111769185A | 公开（公告）日： | 2020-10-13 |
| 发明（设计）人： | 周启航 | 申请（专利权）人： | 佛山紫熙慧众科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/32 |
| 代理公司： | 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙) 44377 | 代理人： | 陈志超;唐敏珊 |
| 地址： | 528226 广东省佛山市南海区狮山镇罗*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 紫外 led 芯片 结构 | ||
1.一种新型紫外LED芯片结构，其特征在于，包括由下至上依次设置的衬底、AlNbuffer 、n型导电层、紫外波段有源区多量子阱、p型层；在p型层中设置有周期性的孔洞，在每个孔洞内设置一个紫外DBR层。
2.根据权利要求1所述的新型紫外LED芯片结构，其特征在于，通过采用ICP干法刻蚀的方式在p型层中刻蚀周期性的孔洞。
3.根据权利要求1所述的新型紫外LED芯片结构，其特征在于，所述的周期性的孔洞在ICP干法刻蚀后用碱性溶液腐蚀修饰孔洞的坑底与侧壁，形成光滑的内表面。
4.根据权利要求3所述的新型紫外LED芯片结构，其特征在于，所述碱性溶液采用KOH碱性溶液。
5.根据权利要求3或4任一所述的新型紫外LED芯片结构，其特征在于，所述的周期性的孔洞在80摄氏度的温度下腐蚀修饰坑底与侧壁。
6.根据权利要求1所述的新型紫外LED芯片结构，其特征在于，将紫外DBR层蒸镀到周期性的孔洞中。
7.根据权利要求1所述的新型紫外LED芯片结构，其特征在于，所述紫外DBR层包括多层SiO2膜层和多层Ta2O5膜层，所述SiO2膜层和Ta2O5膜层相互周期性反复叠加设置。
8.根据权利要求7所述的新型紫外LED芯片结构，其特征在于，所述SiO2膜层的厚度大于1nm小于50nm。
9.根据权利要求7所述的新型紫外LED芯片结构，其特征在于，所述Ta2O5膜层的厚度大于1nm小于50nm。
10.根据权利要求7至9任一所述的新型紫外LED芯片结构，其特征在于，所述SiO2膜层和Ta2O5膜层相互周期性反复叠加的次数大于3小于1000。
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