[发明专利]高反射率高纯度X射线多层膜反射镜的制备方法及反射镜在审
申请号: | 202010761773.7 | 申请日: | 2020-07-31 |
公开(公告)号: | CN111996506A | 公开(公告)日: | 2020-11-27 |
发明(设计)人: | 黄秋实;王占山;齐润泽;张众;倪航剑 | 申请(专利权)人: | 同济大学 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/14;G02B5/08 |
代理公司: | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人: | 翁惠瑜 |
地址: | 200092 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 反射率 纯度 射线 多层 反射 制备 方法 | ||
1.一种高反射率高纯度X射线多层膜反射镜的制备方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:
1)在磁控溅射镀膜真空腔内的样品架上放置基板,该基板的表面粗糙度小于0.3纳米;
2)对磁控溅射镀膜真空腔进行抽真空后,向该真空腔内充入高纯氪气作为溅射气体以调节磁控溅射镀膜真空腔内的工作气压,使工作气压接近等离子体稳定启辉的最低临界值,工作过程中,所述真空腔内的氪气气压变化幅度小于5%;
3)开启直流磁控溅射电源,进行钯靶材和碳化硼靶材的预溅射;
4)控制装有基板的样品架交替停留在钯靶材和碳化硼靶材的溅射区域,完成钯膜层和碳化硼膜层交替生长的多层膜反射镜的制备。
2.根据权利要求1所述的高反射率高纯度X射线多层膜反射镜的制备方法,其特征在于,所述高纯氪气的纯度高于99.9%。
3.根据权利要求1所述的高反射率高纯度X射线多层膜反射镜的制备方法,其特征在于,所述最低临界值≤0.10Pa。
4.根据权利要求1所述的高反射率高纯度X射线多层膜反射镜的制备方法,其特征在于,步骤3)中,所述预溅射的时间大于60分钟。
5.根据权利要求1所述的高反射率高纯度X射线多层膜反射镜的制备方法,其特征在于,所述钯靶材的电源功率为15-30W,所述碳化硼靶材的电源功率为100-150W。
6.根据权利要求1所述的高反射率高纯度X射线多层膜反射镜的制备方法,其特征在于,步骤3)和步骤4)执行过程中,持续充入高纯氪气的流量变化≤2%。
7.根据权利要求1所述的高反射率高纯度X射线多层膜反射镜的制备方法,其特征在于,步骤5)中,所述钯膜层和碳化硼膜层的厚度为1-3纳米。
8.根据权利要求1所述的高反射率高纯度X射线多层膜反射镜的制备方法,其特征在于,步骤5)中,所述钯膜层和碳化硼膜层交替设置的膜对数为100-150对。
9.一种X射线多层膜反射镜,其特征在于,采用如权利要求1所述的制备方法获得。
10.根据权利要求9所述的X射线多层膜反射镜,其特征在于,该反射镜的多层膜结构为每个周期膜厚相同的周期多层膜或由基板向上每个周期膜厚不同的非周期多层膜。
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