[发明专利]钙钛矿/硅异质结双面叠层太阳能电池及其制备方法和太阳能系统

权利要求书

1.一种钙钛矿/硅异质结双面叠层太阳能电池，其特征在于，包括：硅异质结层、顶钙钛矿层、底钙钛矿层，其中，所述顶钙钛矿层通过第一复合连接层形成在所述硅异质结层的正面，所述底钙钛矿层通过第二复合连接层形成在所述硅异质结层的背面。

2.根据权利要求1所述的钙钛矿/硅异质结双面叠层太阳能电池，其特征在于，

所述顶钙钛矿层由依次排布的上钙钛矿空穴传输层、上钙钛矿层、上钙钛矿电子传输层、上缓冲层、第二上TCO透明导电薄膜和正面金属栅线组成；

所述底钙钛矿层由依次排布的下钙钛矿电子传输层、下钙钛矿层、下钙钛矿空穴传输层、下缓冲层、第二下TCO透明导电薄膜和背面金属栅线组成；

所述第一复合连接层为第一上TCO透明导电薄膜；

所述第二复合连接层为第一下TCO透明导电薄膜。

3.一种钙钛矿/硅异质结双面叠层太阳能电池，其特征在于，包括：

单晶硅基片层；

上本征非晶硅薄膜层和下本征非晶硅薄膜层，所述上本征非晶硅薄膜层和下本征非晶硅薄膜层分别形成在所述单晶硅基片层的正面和背面；

n型非晶硅薄膜，所述n型非晶硅薄膜形成在所述上本征非晶硅薄膜层的正面；

p型非晶硅薄膜，所述p型非晶硅薄膜形成在所述下本征非晶硅薄膜层的背面；

第一上TCO透明导电薄膜，所述第一上TCO透明导电薄膜形成在所述n型非晶硅薄膜的正面；

上钙钛矿空穴传输层，所述上钙钛矿空穴传输层形成在所述第一上TCO透明导电薄膜的正面；

上钙钛矿层，所述上钙钛矿层形成在所述上钙钛矿空穴传输层的正面；

钙钛矿电子传输层，所述钙钛矿电子传输层形成在所述上钙钛矿层的正面；

上缓冲层，所述上缓冲层形成在所述钙钛矿电子传输层的正面；

第二上TCO透明导电薄膜，所述第二上TCO透明导电薄膜形成在所述上缓冲层的正面；

正面金属栅线，所述正面金属栅线形成在所述第二上TCO透明导电薄膜的正面；

第一下TCO透明导电薄膜，所述第一下TCO透明导电薄膜形成在所述p型非晶硅薄膜的背面；

下钙钛矿电子传输层，所述下钙钛矿电子传输层形成在所述第一下TCO透明导电薄膜的背面；

下钙钛矿层，所述下钙钛矿层形成在所述下钙钛矿电子传输层的背面；

下钙钛矿空穴传输层，所述下钙钛矿空穴传输层形成在所述下钙钛矿层的背面；以及

下缓冲层，所述下缓冲层形成在所述下钙钛矿空穴传输层的背面；

第二下TCO透明导电薄膜，所述第二下TCO透明导电薄膜形成在所述下缓冲层的背面；以及

背面金属栅线，所述背面金属栅线形成在所述第二下TCO透明导电薄膜的背面。

4.根据权利要求3所述的钙钛矿/硅异质结双面叠层太阳能电池，其特征在于，所述抛光单晶硅衬底为n型抛光单晶硅衬底；

任选地，所述n型抛光单晶硅衬底的厚度为100-250μm，优选150μm。

5.根据权利要求3所述的钙钛矿/硅异质结双面叠层太阳能电池，其特征在于，所述上本征非晶硅薄膜层的厚度为2-100nm，优选5nm；所述下本征非晶硅薄膜层的厚度为2-100nm，优选5nm。

6.根据权利要求3所述的钙钛矿/硅异质结双面叠层太阳能电池，其特征在于，所述n型非晶硅薄膜的厚度为2-150nm，优选30nm；

所述P型非晶硅薄膜的厚度为2-150nm，优选30nm。