[发明专利]一种超高精度的硅象限光电探测器有效
申请号: | 202010762493.8 | 申请日: | 2020-07-31 |
公开(公告)号: | CN112054075B | 公开(公告)日: | 2023-01-06 |
发明(设计)人: | 卜京;王亚赫;卜晖;朱华海 | 申请(专利权)人: | 重庆鹰谷光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/103 |
代理公司: | 重庆百润洪知识产权代理有限公司 50219 | 代理人: | 程宇 |
地址: | 400000 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 超高 精度 象限 光电 探测器 | ||
1.一种超高精度的硅象限光电探测器,其在各象限光敏元之间及其周围的衬底表面上设置一环极,该环极是用与衬底同型杂质,并与衬底背面电极同时扩散或注入形成的高低结,所述环极通过引线与衬底背面的各象限光敏元的公共电极直接相连,其特征在于:
在“双四”象限光电探测器的“内四”象限光敏元和“外四”象限光敏元之间不设置环极,从而形成“内四”环极缺口,或者,在“单四”象限光电探测器的光敏元弧边所对应的环极的中间部位开设一个缺口,该缺口的宽度为该光敏元外沿弧长的1/2~1/4长度。
2.根据权利要求1所述的一种超高精度的硅象限光电探测器,其特征在于,在“双四”象限光电探测器的“外四”光敏元外沿所对应的环极或者“单四”象限光电探测器的光敏元外沿所对应的环极外边0.1~0.15mm处,再设置0.2~0.5mm宽度的环形隔离二极管,该隔离二极管与各光敏元掺入的杂质同型,且同时扩散或注入而成。
3.根据权利要求1或2所述的一种超高精度的硅象限光电探测器,其特征在于,所述环极是依硅象限光电探测器各象限光敏元的数量和形状而定,对于硅象限光电探测器的管芯是圆形的“单四”象限光电探测器,它的管芯由四个扇形的光敏元构成,则环极的形状是一个带四个对称缺口的环形加十字形的组合形状;对于硅象限光电探测器的管芯是圆形的“双四”象限光电探测器,它的管芯是由“内四”和“外四”八个扇形的象限光敏元构成,则环极的形状是一个仅“外四”带同心的环形加经过“内四”的大十字形组合成的网状形状。
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