[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括第一介质层以及分立于所述第一介质层上的第一金属层和第二金属层；

在所述第一金属层和第二金属层之间的所述第一介质层上形成调节层；

形成覆盖所述第一金属层、第二金属层以及调节层的第二介质层；

刻蚀所述第二介质层，形成露出所述第一金属层、第二金属层以及调节层的开口。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，提供基底的步骤中，所述基底包括第一掺杂层和位于所述第一掺杂层顶部的第一插塞，所述第一金属层，位于所述第一插塞的顶部；

提供基底的步骤中，所述基底包括第二掺杂层和位于所述第二掺杂层顶部的第二插塞，所述第二金属层，位于所述第二插塞的顶部，所述第二掺杂层和第一掺杂层相邻；

形成调节层的步骤包括：

在所述第一金属层、第二金属层的顶壁和侧壁，以及第一介质层顶壁形成调节材料层；

在所述第一掺杂层和第二掺杂层上方的所述第一介质层上形成遮挡层；

去除所述遮挡层露出的所述调节材料层，剩余的位于所述遮挡层下方的所述调节材料层作为调节层；

所述半导体结构的形成方法还包括：形成所述调节层后，去除所述遮挡层。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述遮挡层的材料包括：光刻胶。

4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用各向异性干法刻蚀工艺去除所述遮挡层露出的所述调节材料层。

5.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺、物理气相沉积工艺以及有机金属化学气相沉积工艺形成所述调节材料层。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述调节层的步骤中，所述调节层的厚度为110纳米至130纳米。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述调节层的材料包括TiN和TaN中的一种或两种。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述调节层的步骤中，所述调节层的底面与所述第一金属层和第二金属层的底面齐平。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，提供基底的步骤中，所述基底包括第一掺杂层和位于所述第一掺杂层顶部的第一插塞，所述第一金属层，位于所述第一插塞的顶部；

提供基底的步骤中，所述基底包括第二掺杂层和位于所述第二掺杂层顶部的第二插塞，所述第二金属层，位于所述第二插塞的顶部，所述第二掺杂层和第一掺杂层相邻；

所述基底还包括波导层，位于所述第一掺杂层和第二掺杂层的侧部且与所述第一掺杂层和第二掺杂层连接；

所述第一介质层覆盖所述波导层。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，以垂直于所述第一掺杂层和第二掺杂层交界面的延伸方向为横向；

形成所述调节层的步骤中，所述调节层至所述第一金属层的横向距离为270纳米至330纳米；

形成所述调节层的步骤中，所述调节层至所述第二金属层的横向距离为270纳米至330纳米。

11.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，提供基底的步骤中，所述第一掺杂层远离所述第二掺杂层的一侧具有第一连接部，所述第一连接部的厚度小于所述第一掺杂层的厚度；所述第一插塞与所述第一连接部接触；

所述第二掺杂层远离所述第一掺杂层的一侧具有第二连接部，所述第二连接部的厚度小于所述第二掺杂层的厚度；所述第二插塞与所述第二连接部接触。