[发明专利]一种激发二维范德华材料极化激元的方法有效
| 申请号： | 202010763275.6 | 申请日： | 2020-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN111934101B | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 戴庆;郭相东;杨晓霞;高鹏;李宁 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心;北京大学 |
| 主分类号： | H01Q15/24 | 分类号： | H01Q15/24;H01Q15/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 激发 二维 范德华 材料 极化 方法 | ||
1.一种激发二维范德华材料极化激元的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
使用高能电子照射单层二维范德华材料，实现二维范德华材料极化激元的激发；所述高能电子为能量≥30keV的电子；
所述二维范德华材料为六方氮化硼或过渡金属二硫属化物；
所述二维范德华材料放置于导电衬底上，所述导电衬底上均匀布满通孔；所述通孔的形状为轴对称图形。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述高能电子的能量为30-400keV。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述二维范德华材料为采用化学气相沉积法或机械剥离法制备得到的二维范德华材料。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述导电衬底所用材料包括铜、钯或导电硅。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述轴对称图形包括长方形、圆形或等边三角形中的任意一种。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述通孔为圆形时，通孔直径为10-500μm。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述通孔为长方形时，通孔的宽度为10-100μm，长度为20-500μm。
8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述通孔为等边三角形时，通孔的边长为10-500μm。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通孔内设置有支撑膜；所述支撑膜的表面设置有至少1个支撑通孔。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述支撑通孔的等效直径为2-3μm。
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