[发明专利]基板处理装置、基板支撑件以及半导体装置的制造方法

说明书

本发明涉及基板处理装置、基板支撑件以及半导体装置的制造方法。本发明在提高在基板上形成的膜的厚度均匀性的同时，能抑制对基板和在基板上形成的膜的金属污染。本发明提供一种基板处理装置，具备：基板支撑件，该基板支撑件具有由金属构成的支柱和设置于支柱且多段支撑多个基板的多个支撑部，容纳基板支撑件支撑的多个基板的处理室和对容纳在处理室内的多个基板进行加热的加热部，多个支撑部的至少与多个基板接触的接触部由金属氧化物或非金属物的至少任一种构成。

技术领域

本公开涉及基板处理装置、基板支撑件以及半导体装置的制造方法。

背景技术

作为半导体装置(设备)的制造工序的一个工序，有时如下进行成膜处理，即，将多个基板以被基板支撑件多段支撑的状态容纳在处理室内，在所容纳的多个基板上形成膜(例如，参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2018-170502号公报

发明内容

发明要解决的课题

在半导体设备的制造工序的一个工序中，要求提高在基板上形成的膜的厚度均匀性的同时，还要求抑制对于基板和在基板上形成的膜的金属污染。

本公开提供一种技术，在提高在基板上形成的膜的厚度均匀性的同时，抑制对于基板和在基板上形成的膜的金属污染。

解决课题的方法

根据本公开的一个方案，提供一种基板处理装置，具有：

基板支撑件，该基板支撑件具有由金属构成的支柱和设置于上述支柱且多段支撑多个基板的多个支撑部，

容纳被上述基板支撑件支撑的上述多个基板的处理室，和

对容纳在上述处理室的上述多个基板进行加热的加热部；

上述多个支撑部的至少与上述多个基板接触的接触部由金属氧化物或非金属物的至少任一种构成。

发明效果

根据本公开，能够在提高在基板上形成的膜的厚度均匀性的同时，抑制对于基板和在基板上形成的膜的金属污染。

附图说明

图1是显示基板处理装置的纵型处理炉的概略的纵截面图。

图2是图1中的A-A线概略横截面图。

图3是图1的基板处理装置的气体供给系统的概略图。

图4是显示图1的基板处理装置中容纳的晶圆盒的侧面图。

图5是图4中的B-B线概略横截面图。

图6是显示图4的晶圆盒的晶圆支撑状态的说明图。

图7是第一变形例中的晶圆盒的支柱的侧面图。

图8是第二变形例中的晶圆盒的支柱以及支撑销的侧面图。

图9是第三变形例中的晶圆盒的支柱以及支撑销的侧面图。

图10是第四变形例中的晶圆盒的立体图。

图11是图10的晶圆盒的横截面图。

图12是图1的基板处理装置的控制器的概略构成图，是显示控制器的控制系统的概略框图。

图13是显示图1的基板处理装置的动作的流程图。

符号说明

10：基板处理装置，200：晶圆(基板)，201：处理室，207：加热器(加热部)，217：晶圆盒(基板支撑件)。