[发明专利]一种新型的氮化物异质结构材料异质界面缺陷修复方法

权利要求书

1.一种新型的氮化物异质结构材料异质界面缺陷修复方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

S1：向氮化物异质结构材料异质界面处引入阴离子；

S2：使引入的阴离子占据非金属位且与相邻的Ga原子或In原子或Al原子结合形成化学键，以减少所述氮化物异质结构材料异质界面处的氮空位缺陷浓度。

2.根据权利要求1所述的新型的氮化物异质结构材料异质界面缺陷修复方法，其特征在于，所述S1中，引入的阴离子为氮离子、氯离子、氟离子或氧离子。

3.根据权利要求1所述的新型的氮化物异质结构材料异质界面缺陷修复方法，其特征在于，所述S1中，通过等离子增强化学沉积法、金属有机气相沉积法、反应离子刻蚀法、离子束注入法或电感耦合等离子体的方法引入所述阴离子。

4.根据权利要求1至3任一所述的新型的氮化物异质结构材料异质界面缺陷修复方法，其特征在于，所述S1中，所述的阴离子引入方法是在引入离子的气态氛环境氛围内引入相对应的阴离子。

5.根据权利要求4所述的新型的氮化物异质结构材料异质界面缺陷修复方法，其特征在于，所述S1中，在氮气的气氛环境中向异质界面引入相应的氮离子。

6.根据权利要求4所述的新型的氮化物异质结构材料异质界面缺陷修复方法，其特征在于，所述S1中，在氯气的气氛环境中向异质界面引入相应的氯离子。

7.根据权利要求4所述的新型的氮化物异质结构材料异质界面缺陷修复方法，其特征在于，所述S1中，在氟气的气氛环境中向异质界面引入相应的氟离子。

8.根据权利要求4所述的新型的氮化物异质结构材料异质界面缺陷修复方法，其特征在于，所述S1中，在氧气的气氛环境中向异质界面引入相应的氧离子。

9.根据权利要求1所述的新型的氮化物异质结构材料异质界面缺陷修复方法，其特征在于，所述S2中，所述的阴离子占据异质界面处的非金属位，且所述的阴离子浓度小于非金属位浓度的10%。

10.根据权利要求1或9任一所述的新型的氮化物异质结构材料异质界面缺陷修复方法，其特征在于，所述S2中，所述的阴离子占据异质界面处的非金属位，且所述的阴离子浓度大于非金属位浓度的0.001%。