[发明专利]光伏焊带和光伏组件在审
申请号: | 202010764681.4 | 申请日: | 2020-07-31 |
公开(公告)号: | CN111864001A | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
发明(设计)人: | 肖锋 | 申请(专利权)人: | 苏州宇邦新型材料股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H01L31/054;H01L31/042 |
代理公司: | 苏州华博知识产权代理有限公司 32232 | 代理人: | 杨敏 |
地址: | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 光伏焊带 组件 | ||
本发明提供一种光伏焊带和光伏组件。光伏焊带包括基体和涂覆在基体表面的焊料层,基体表面包括接合面和非接合面,所述接合面用于与光伏电池片的正面接合,所述光伏焊带为周期性的焊带段,单个周期的焊带段包括:第一段体,用于接合在光伏电池片的正面栅线上,在所述第一段体中,在所述非接合面的焊料层上方进一步涂布有反光层;第二段体,用于与相邻的光伏电池片连接和接合。光伏组件包括如上所述光伏焊带以及至少两个光伏电池片,所述至少两个光伏电池片通过所述光伏焊带依次相邻设置。
技术领域
本发明涉及光伏领域,尤其涉及一种光伏焊带和光伏组件。
背景技术
光伏组件用于将太阳能转换成电能,光伏组件内部包括多个光伏电池片,相邻的两个光伏电池片之间通过焊带进行串接,焊带与电池主栅接合以用于汇集和传输电流。
由于焊带本身具有一定的宽度,会对电池表面造成遮挡,使得对光线利用率较低。为了提高对光线的利用率,现有技术中往往通过改变焊带基体的形状,例如三角形、圆形、梯形等来实现对光线的二次反射,以提高对光线的利用率。但由于为了实现与电池片的导电连接,焊带基体外表面往往都需要涂覆一层焊料。由于焊料的反光性相对较差,使得光伏焊带对光线的利用率并不理想。
因此,如何在保证与光伏电池片的接合可靠性的同时提高对光线的利用率成为亟待解决的技术问题。
发明内容
为了解决上述技术问题,本发明公开了一种光伏焊带和光伏组件,其通过涂布在基体表面上的焊料层实现与光伏电池片的导电连接,并通过在焊带基体的第一段体(即,用于与电池片正面接合的段体)的反射面(或非接合面)上涂布反光层,来增强反光性,以提高对光线的利用率。
为达到上述目的,本发明的技术方案提供了一种光伏焊带,其包括基体和涂覆在基体表面的焊料层,基体表面包括接合面和非接合面,所述接合面用于与光伏电池片的正面接合,所述光伏焊带为周期性的焊带段,单个周期的焊带段包括:第一段体,用于接合在光伏电池片的正面栅线上,在所述第一段体中,在所述非接合面的焊料层上方进一步涂布有反光层;第二段体,用于与相邻的光伏电池片连接和接合。
通过在基体表面涂布焊料层,并通过在第一段体的非接合面上涂布反光层,在保证与光伏电池片的接合强度的前提下,增强了电池片正面的焊带表面的反光性,从而提高了对光线的利用率。
进一步地,在所述第一段体中,在所述非接合面的与所述接合面相邻的一部分表面上,焊料层上方未涂覆所述反光层。
通过使得第一段体的反光层仅涂布在非接合面的一部分上,增加了底部焊料层的暴露面积,从而提高了与电池片正面的接合强度。
本发明的技术方案还提供了一种光伏焊带,其包括基体,所述基体的表面包括接合面和非接合面,所述接合面用于与光伏电池片的正面接合,所述非接合面包括上部表面和下部表面,其中,在所述接合面上涂布有焊料层,在所述非接合面的上部表面上涂布有焊料层,并且在所述非接合面的下部表面上涂布有反光层。
通过接合面上的焊料层实现与电池片正面的接合,同时通过非接合面的下部表面上的反光层提高焊带对电池片正面入射光线的反射量,另外通过非接合面的上部表面的焊料层实现与电池片背面的接合。
进一步地,在所述接合面和所述非接合面上均涂布有焊料层,其中,在所述非接合面上,所述下部表面上的反光层涂布在焊料层上方。
通过上述涂层结构,简化制作工艺。
进一步地,在所述非接合面的下部表面与所述接合面相邻的一部分表面上,焊料层上方未涂覆所述反光层。
通过使得反光层仅涂布在非接合面的下部表面的一部分上,增加了底部焊料层的暴露面积,从而提高了与电池片正面的接合强度。
进一步地,所述焊料层替换为导电胶。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州宇邦新型材料股份有限公司,未经苏州宇邦新型材料股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010764681.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的