[发明专利]基板处理设备

权利要求书

1.一种基板处理设备，包括：

基板支撑单元；

基板支撑单元上的处理单元；

排气单元，其连接到基板支撑单元与处理单元之间的反应空间；

排气端口，其连接到排气单元的至少一部分；以及

流动控制单元，其设置在从排气单元内部的空间到排气端口的排气通道中。

2.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，

所述流动控制单元邻近排气端口。

3.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，

所述排气单元延伸以形成围绕反应空间的排气空间，并且

所述排气端口设置成与一部分排气空间连通。

4.根据权利要求3所述的基板处理设备，其中，

所述流动控制单元配置成防止排气空间中的气流在排气端口处集中。

5.根据权利要求1所述的基板处理设备，还包括：

支撑件，其配置为支撑所述处理单元和排气单元；以及

支撑件上的引导单元，

其中，所述流动控制单元配置成可在引导单元上移动。

6.根据权利要求5所述的基板处理设备，其中，

所述支撑件和引导单元实施为整体结构。

7.根据权利要求5所述的基板处理设备，其中，

所述流动控制单元和引导单元中的至少一个包括用于防止流动控制单元和引导单元之间分离的凹槽或凹部。

8.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，

所述排气单元还包括：

限定反应空间的侧部的边界壁；

平行于分隔壁的外壁；以及

连接壁，其延伸以将边界壁连接至外壁，

其中，所述连接壁在排气单元和处理单元之间提供接触表面。

9.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，

所述流动控制单元包括至少一个通孔，并且

所述通孔的至少一部分朝向排气端口延伸。

10.根据权利要求9所述的基板处理设备，其中，

所述通孔以双层布置。

11.根据权利要求9所述的基板处理设备，其中，

所述流动控制单元包括面对排气端口的第一表面和不同于第一表面的第二表面，并且

所述通孔延伸穿过所述第一表面和第二表面。

12.根据权利要求9所述的基板处理设备，其中，

所述通孔的第一部分的横截面积与所述通孔的第二部分的横截面积不同。

13.根据权利要求1所述的基板处理设备，

还包括：力施加单元，其配置为产生用于使流动控制单元移动的力。

14.根据权利要求13所述的基板处理设备，

还包括：接收单元，用于接收所述力施加单元；以及

在所述力施加单元和接收单元之间的滚动单元。

15.根据权利要求13所述的基板处理设备，其中，

用于移动所述流动控制单元的力是磁力，并且

所述力施加单元包括磁力施加单元。

16.根据权利要求15所述的基板处理设备，其中，

所述磁力施加单元包括电磁体，并且

所述基板处理设备还包括配置为控制电磁体的控制器。

17.根据权利要求16所述的基板处理设备，

所述控制器配置为在基板处理设备的维护操作期间向电磁体供应电流，并且在基板处理设备的处理操作期间停止向电磁体供应电流。