[发明专利]半导体零部件、等离子体处理装置及耐腐蚀涂层形成方法

权利要求书

1.一种半导体零部件，其特征在于，包括：

半导体零部件本体；

耐腐蚀涂层，位于所述半导体零部件本体的表面，由稀土元素氟氧化物的结晶相和非晶相组成，且所述结晶相与非晶相位于同一层，非晶相弥散在结晶相中。

2.如权利要求1所述的半导体零部件，其特征在于，所述耐腐蚀涂层为结晶结构。

3.如权利要求1所述的半导体零部件，其特征在于，所述耐腐蚀涂层稀土元素氟氧化物的稀土元素包括Y、Sc、La、Ce、Pr、Nd、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb或Lu中至少一种。

4.如权利要求3所述的半导体零部件，其特征在于，所述同一层的结晶相与非晶相的稀土元素相同。

5.如权利要求3所述的半导体零部件，其特征在于，所述同一层的结晶相与非晶相的稀土元素不相同。

6.如权利要求1所述的半导体零部件，其特征在于，所述耐腐蚀涂层的厚度为0.01微米～200微米。

7.如权利要求1所述的半导体零部件，其特征在于，所述非晶相位于结晶相的表面和结晶相的本体中。

8.如权利要求1所述的半导体零部件，其特征在于，所述半导体零部件本体的材料包括：铝合金、碳化硅、硅、石英或陶瓷等中的至少一种。

9.如权利要求1所述的半导体零部件，其特征在于，所述耐腐蚀涂层的致密度为98％～100％。

10.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

反应腔，其内为等离子体环境；

如权利要求1至权利要求9任一项所述半导体零部件，位于所述反应腔内，暴露于所述等离子体环境中。

11.如权利要求10所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体环境中含有氟、氯或氧中的至少一种。

12.如权利要求10所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体处理装置为等离子体刻蚀装置或者等离子体清洁装置。

13.如权利要求12所述的等离子体处理装置，其特征在于，当所述等离子体刻蚀装置为电感耦合等离子体刻蚀装置时，所述零部件包括：陶瓷板、内衬套、气体喷嘴、气体分配板、气管法兰、静电吸盘组件、覆盖环、聚焦环、绝缘环或等离子体约束装置中的至少一种。

14.如权利要求12所述的等离子体处理装置，其特征在于，当等离子体刻蚀装置为电容耦合等离子体刻蚀装置时，所述零部件包括：喷淋头、上接地环、移动环、气体分配板、气体缓冲板、静电吸盘组件、下接地环、覆盖环、聚焦环、绝缘环、可升降隔离环或等离子体约束装置中的至少一种。

15.如权利要求10所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述反应腔内还包括：基座，用于承载待处理基片，所述待处理基片暴露于所述等离子体环境中；所述半导体零部件为多个，分别位于所述反应腔的顶部、反应腔的侧壁以及所述基座的外围，不同位置所述半导体零部件的耐腐蚀涂层中氟含量的大小关系为：所述反应腔顶部的半导体零部件的耐腐蚀涂层中氟含量小于反应腔侧壁的半导体零部件的耐腐蚀涂层中氟含量，且反应腔侧壁的半导体零部件的耐腐蚀涂层中氟含量小于所述基座的外围的半导体零部件的耐腐蚀涂层中氟含量。

16.一种在半导体零部件本体上形成耐腐蚀涂层的方法，其特征在于，包括：

提供半导体零部件本体；

在所述半导体零部件本体上形成如权利要求1至权利要求9任一项耐腐蚀涂层。