[发明专利]一种优化米勒电容的功率器件及制备方法

权利要求书

1.一种优化米勒电容的功率器件，包括N型衬底(4)、位于N型衬底(4)下方的集电极(3)、位于N型衬底(4)上层边缘的P型井(5)、位于P型井(5)中的重掺杂N型区(6)和重掺杂P型区(7)、位于重掺杂N型区(6)和重掺杂P型区(7)上方的发射极(2)、位于N型衬底(4)上层中间的栅氧化层(8)和位于栅氧化层(8)上方的栅极(1)，其特征在于：所述栅氧化层(8)包括中间部分及边缘部分；中间部分厚度大于边缘部分。

2.根据权利要求1所述的优化米勒电容的功率器件，其特征在于，所述栅氧化层(8)下方电子电流和空穴电流流经的区域与栅氧化层(8)中间部分所在区域不重叠。

3.一种优化米勒电容的功率器件，包括N型衬底(4)、位于N型衬底(4)下方的集电极(3)、位于N型衬底(4)上层边缘的P型井(5)、位于P型井(5)中的重掺杂N型区(6)和重掺杂P型区(7)、位于重掺杂N型区(6)和重掺杂P型区(7)上方的发射极(2)、位于N型衬底(4)上层中间的栅氧化层(8)和位于栅氧化层(8)上方的栅极(1)，其特征在于：所述栅氧化层(8)包括中间部分及边缘部分；中间部分的厚度为2000-5000埃；边缘部分的厚度为1000-1500埃。

4.根据权利要求3所述的优化米勒电容的功率器件，其特征在于，所述栅氧化层(8)下方电子电流和空穴电流流经的区域与栅氧化层(8)中间部分所在区域不重叠。

5.一种优化米勒电容的功率器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一：在N型衬底(4)上方进行第一次栅氧化层生长；

步骤二：对步骤一中的栅氧化层进行光刻工艺和刻蚀工艺，只保留N型衬底(4)中间部分的栅氧化层；

步骤三：进行第二次栅氧化层生长，形成中间部分厚度大于边缘部分的栅氧化层；

步骤四：形成栅极(1)、发射极(2)、集电极(3)、P型井(5)、重掺杂N型区(6)和重掺杂P型区(7)。