[发明专利]一种硅基MEMS微半球阵列的制备方法

权利要求书

1.一种硅基MEMS微半球阵列的制备方法，其特征在于：所述的制备方法是首先将氧化好的硅片进行第一次光刻并用缓冲氢氟酸局部去掉二氧化硅得到光刻硅片一号，然后将光刻硅片一号放入恒温腐蚀液中进行第一次腐蚀得到腐蚀硅片一号，再把腐蚀硅片一号进行第二次光刻并用缓冲氢氟酸局部去掉二氧化硅得到光刻硅片二号，再然后将光刻硅片二号放入恒温腐蚀液中进行第二次腐蚀得到腐蚀硅片二号，再将腐蚀硅片二号进行第三次光刻并用缓冲氢氟酸局部去掉二氧化硅得到光刻硅片三号，然后将光刻硅片三号放入恒温腐蚀液中进行第三次腐蚀得到腐蚀硅片三号，再将腐蚀硅片三号用缓冲氢氟酸全部去掉二氧化硅再放入恒温腐蚀液中进行第四次腐蚀得到腐蚀硅片四号，最后将腐蚀硅片四号用混合酸腐蚀溶液进行第五次腐蚀圆滑侧面凸角得到最终的硅基MEMS微半球阵列。

2.根据权利要求1所述的一种硅基MEMS微半球阵列的制备方法，其特征在于：所述的缓冲氢氟酸是按照3ml氢氟酸∶6g氟化铵∶10ml水的比例配制而成的。

3.根据权利要求1所述的一种硅基MEMS微半球阵列的制备方法，其特征在于：所述的恒温腐蚀液是浓度为0.1%的聚乙二醇辛基苯基醚与25%四甲基氢氧化铵的混合水溶液。

4.根据权利要求1所述的一种硅基MEMS微半球阵列的制备方法，其特征在于：所述的混合酸腐蚀溶液是按照3ml氢氟酸：5ml硝酸：3ml乙酸：3g碘的比例配置而成的。

5.根据权利要求1所述的一种硅基MEMS微半球阵列的制备方法，其特征在于：所述的恒温腐蚀液的腐蚀温度为70摄氏度；所述的缓冲氢氟酸的腐蚀温度为室温27摄氏度；所述的混合酸腐蚀溶液的腐蚀温度为室温27摄氏度。

6.根据权利要求1所述的一种硅基MEMS微半球阵列的制备方法，其特征在于：所述的第一次腐蚀时间是40分钟；所述的第二次腐蚀时间是35分钟；所述的第三次腐蚀时间是28分钟；所述的第四次腐蚀时间是18分钟；所述的第五次腐蚀时间是15秒钟。

7.根据权利要求1所述的一种硅基MEMS微半球阵列的制备方法，其特征在于：所述的第一次光刻是将掩膜板上直径为50微米间隔为50微米的阵列圆形转移到氧化好的硅片上。

8.根据权利要求1所述的一种硅基MEMS微半球阵列的制备方法，其特征在于：所述的第二次光刻是将掩膜板上直径为30微米间隔为70微米的阵列圆形转移到腐蚀硅片一号上。

9.根据权利要求1所述的一种硅基MEMS微半球阵列的制备方法，其特征在于：所述的第三次光刻是将掩膜板上直径为10微米间隔为90微米的阵列圆形转移到腐蚀硅片二号上。

10.根据权利要求8或9所述的一种硅基MEMS微半球阵列的制备方法，其特征在于：所述的第二次光刻阵列圆形的圆心与第一次光刻阵列圆形的圆心重合；所述的第三次光刻阵列圆形的圆心与第二次光刻阵列圆形的圆心重合。