[发明专利]氮化镓基半导体器件及其制作方法

权利要求书

1.一种氮化镓基半导体器件，其特征在于，包括衬底、依次形成于所述衬底上的氮化镓基外延层和介质层；

其中，所述介质层上形成有沉积孔，所述沉积孔内填充有正面金属层，所述衬底上形成有背面通孔，所述背面通孔贯穿所述氮化镓基外延层；所述衬底远离所述氮化镓基外延层的一侧及所述背面通孔内沉积有背面金属层，所述背面通孔内的背面金属分别与所述正面金属层和所述介质层接触连接，所述沉积孔在所述衬底上的投影位于所述背面通孔在所述衬底上的投影范围内且投影边缘不相交。

2.根据权利要求1所述的氮化镓基半导体器件，其特征在于，还包括形成于所述介质层上的保护介质层，所述保护介质层覆盖所述正面金属层。

3.根据权利要求1所述的氮化镓基半导体器件，其特征在于，所述正面金属层覆盖所述沉积孔的边缘。

4.根据权利要求1所述的氮化镓基半导体器件，其特征在于，所述衬底的材料为碳化硅。

5.根据权利要求4所述的氮化镓基半导体器件，所述衬底的厚度在50μm至100μm之间。

6.根据权利要求1所述的氮化镓基半导体器件，其特征在于，所述介质层与所述背面金属层的交叠区域呈圆环状，所述圆环的环宽在3μm至20μm之间。

7.一种氮化镓基半导体器件的制作方法，其特征在于，包括权利要求1至6中任意一项所述的氮化镓基半导体器件，所述方法包括以下步骤：

在完成栅工艺后的氮化镓基半导体器件的氮化镓基外延层上沉积介质层；

在所述介质层上通过刻蚀工艺形成沉积孔；

在所述介质层远离所述氮化镓基外延层的一侧和所述沉积孔内蒸镀金属，并通过刻蚀剥离工艺形成覆盖所述沉积孔的正面金属层；

在衬底和所述氮化镓基外延层上通过刻蚀工艺形成背面通孔，其中，所述沉积孔在所述衬底上的投影位于所述背面通孔在所述衬底上的投影范围内且投影边缘不相交；

在所述衬底远离所述氮化镓基外延层的一侧及所述背面通孔内沉积金属以形成背面金属层，其中，所述背面通孔内的背面金属部分与所述正面金属层接触连接，且部分与所述介质层接触连接。

8.根据权利要求7所述的氮化镓基半导体器件的制作方法，其特征在于，所述衬底上的背面通孔采用干法刻蚀工艺形成。

9.根据权利要求7所述的氮化镓基半导体器件的制作方法，其特征在于，所述在所述衬底远离所述氮化镓基外延层的一侧及所述背面通孔内沉积金属以形成背面金属层，包括：

在形成有背面通孔的衬底上溅射形成种子层；

在所述种子层上电镀形成金属层。

10.根据权利要求7所述的氮化镓基半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述通过刻蚀剥离工艺形成覆盖所述沉积孔的正面金属层之后，还包括：

在所述介质层和所述正面金属层远离所述衬底的一侧沉积保护介质层。