[发明专利]一种兼具激光供能与太阳发电的光伏电池制作方法有效
申请号: | 202010768046.3 | 申请日: | 2020-08-03 |
公开(公告)号: | CN112038419B | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | 唐道远;徐建明;张冬冬;马宁;蒋帅;陈开建;陈臻纯 | 申请(专利权)人: | 上海空间电源研究所 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0443;H01L31/0687;H01L31/0725;H01L31/18;H01L25/16 |
代理公司: | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人: | 陈鹏 |
地址: | 200245 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 兼具 激光 太阳 发电 电池 制作方法 | ||
一种兼具激光供能与太阳发电的光伏电池制作方法,采用红外透明“金属格栅”预埋工艺,对三结砷化镓太阳电池完成“双负极”引出,通过双负极实现全天时能源供应的空间光伏器件,在光照区时利用太阳光发电,由三结砷化镓电池负极输出电流,在阴影区时由地面或其他航天器利用近红外激光激发底电池产生光伏效应,进行无线能量传输,解决了传统三结砷化镓太阳电池在航天器运行至地球阴影区时无法进行光伏发电、仅能通过蓄电池使航天器运行的问题。
技术领域
本发明涉及一种兼具激光供能与太阳发电的光伏电池制作方法,属于光伏电池领域。
背景技术
激光无线能量传输具有单色性好、方向性好、无电磁干扰等优点,可以实现天地或空间点对点能量传输,其核心器件为激光电池,一般根据配套激光器的波长进行结构设计及材料选择,只能利用特定波长的激光能量而无法有效利用空间中的太阳光进行光伏发电。
三结砷化镓太阳电池以其转化效率高、抗辐照能量强等特点,近年来作为最重要的光伏器件被广泛应用于各类航天器。顶、中、底三个子电池的带隙分别为1.85eV、1.42eV、0.67eV,所对应的响应光谱波段分别为350~700nm、 700~880nm、880~1750nm,由于可以对太阳光谱进行分段吸收利用,因此三结砷化镓太阳电池的光电转换效率可以在30%以上。当航天器运行到地球阴影区时,太阳电池将无法光伏发电,此时航天器只能利用蓄电池电能运行,这极大地限制了航天器有效载荷的工作效率,而普通的三结砷化镓太阳电池不但无法利用激光进行光伏发电,其被高能量激光照射还会引起热损伤,造成电池的降能失效。
发明内容
本发明解决的技术问题是:针对目前现有技术中,传统三结砷化镓太阳电池在航天器运行至地球阴影区时无法进行光伏发电、仅能通过蓄电池使航天器运行的问题,提出了一种兼具激光供能与太阳发电的光伏电池制作方法。
本发明解决上述技术问题是通过如下技术方案予以实现的:
一种兼具激光供能与太阳发电的光伏电池制作方法,步骤如下:
(1)选取Ge衬底晶片,并采用蒸镀工艺于Ge衬底晶片表面沉积Ag金属层;
(2)通过光刻刻蚀将步骤(1)沉积Ag金属层制备为Ag金属格栅;
(3)利用MOCVD工艺于Ag金属格栅上外延生长三结砷化镓电池,获取沉积Ge底电池、GaAs中电池、GaInP顶电池;
(4)于Ge衬底晶片背面进行背面电极制备;
(5)利用光刻及干法刻蚀工艺于电池区域对Ag金属格栅上的GaAs中电池、GaInP顶电池进行刻蚀直至露出Ag金属格栅;
(6)于GaInP顶电池表面及电池区域露出的Ag金属格栅表面,通过光刻及蒸镀工艺制备负极;
(7)利用套刻及湿法腐蚀于GaInP顶电池表面制备减反射膜;
(8)利用高温合金工艺进行电极材料与外部半导体材料欧姆接触,根据所需光伏电池设计参数进行机械划片,连接负极与互联片、负极与激光输出二极管、背面电极与旁路二极管。
所述步骤(1)中,所述Ag金属层可替换为Au或Pt金属层。
所述步骤(2)中,所述Ag金属格栅根据光伏电池设计参数设计的光刻版图进行制备,红外透过率大于90%。
所述步骤(3)中,外延生长三结砷化镓电池所得电池结构包括Ge底电池、 GaAs中电池、GaInP顶电池、隧穿结、背场层、窗口层、帽子层,其中,所述Ge底电池、GaAs中电池、GaInP顶电池可替换为Ge底电池、GaInAs中电池、GaInP顶电池。
所述步骤(4)中,所述背面电极包括Pd层、Ag层、Au层,可替换为Ti 层、Pd层、Ag层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海空间电源研究所,未经上海空间电源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010768046.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:表情包文字生成方法、装置及存储介质
- 下一篇:一种多功能篮球携带盒
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的