[发明专利]半导体器件及其形成方法有效

专利信息
申请号: 202010768531.0 申请日: 2020-08-03
公开(公告)号: CN114068709B 公开(公告)日: 2023-08-18
发明(设计)人: 周飞 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78;H01L21/336
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 吴敏
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件 及其 形成 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体器件,其特征在于,包括:

衬底,所述衬底包括真鳍部区和伪鳍部区;

伪鳍部,位于所述伪鳍部区,包括伪鳍部第一区和伪鳍部第二区,所述伪鳍部第一区包括第一根鳍部和位于所述第一根鳍部上的第一绝缘层;所述伪鳍部第二区包括第一根鳍部、位于所述第一根鳍部上的第一绝缘层以及位于所述第一绝缘层上的第二绝缘层,所述第一绝缘层与所述第二绝缘层的高度比值范围为3:1~6:1;

真鳍部,位于所述真鳍部区,包括真鳍部第一区,所述真鳍部第一区包括第二根鳍部,所述伪鳍部位于所述真鳍部的两侧;

源漏掺杂层,位于所述第二根鳍部上;

位于所述衬底上的伪栅结构,所述伪栅结构横跨所述真鳍部以及所述第二绝缘层,所述伪鳍部第二区被所述伪栅结构覆盖,所述伪鳍部第一区未被所述伪栅结构覆盖,所述真鳍部第一区未被所述伪栅结构覆盖。

2.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述真鳍部还包括真鳍部第二区,所述真鳍部第二区包括若干层位于所述衬底上的衬层以及位于所述衬底与所述衬层之间的通道。

3.如权利要求2所述的半导体器件,其特征在于,还包括栅极结构,所述栅极结构横跨所述伪鳍部第二区和所述真鳍部第二区,且覆盖所述伪鳍部第二区和所述真鳍部第二区的侧壁,所述伪鳍部第一区和所述真鳍部第一区位于所述栅极结构的两侧。

4.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述第一绝缘层的材料为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅、碳氮硼化硅中的一种或多种组合。

5.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述第二绝缘层的材料为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅、碳氮硼化硅中的一种或多种组合。

6.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,还包括:隔离结构,所述隔离结构覆盖所述第一根鳍部和所述第二根鳍部的侧壁,所述第二根鳍部的高度不高于所述隔离结构的高度。

7.一种半导体器件的形成方法,其特征在于,包括:

提供衬底,所述衬底上包括真鳍部区和伪鳍部区,所述伪鳍部区位于所述真鳍部区的两侧;

在所述衬底上形成真鳍部;

刻蚀去除所述伪鳍部区的所述真鳍部,形成第一根鳍部;

在所述第一根鳍部的顶部表面形成第一绝缘层;

在所述第一绝缘层上形成第二绝缘层;

在所述衬底上形成伪栅结构,所述伪栅结构横跨所述真鳍部以及所述第二绝缘层,覆盖所述真鳍部的部分顶部和部分侧壁、所述第二绝缘层的部分侧壁和部分顶部以及所述第一绝缘层的部分侧壁;

刻蚀所述伪栅结构两侧的所述真鳍部,形成第二根鳍部;

刻蚀去除所述伪栅结构两侧的所述第二绝缘层,所述第一绝缘层与所述第二绝缘层的高度比值范围为3:1~6:1;

在所述第二根鳍部上形成源漏掺杂层。

8.如权利要求7所述的半导体器件的形成方法,其特征在于,所述第一绝缘层的材料为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氧化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅、碳氮硼化硅中的一种或多种组合。

9.如权利要求7所述的半导体器件的形成方法,其特征在于,所述第二绝缘层的材料为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅、碳氮硼化硅中的一种或多种组合。

10.如权利要求7所述的半导体器件的形成方法,其特征在于,在刻蚀去除所述伪鳍部区的所述真鳍部,形成第一根鳍部之前,还包括:

在所述衬底上形成初始隔离结构,所述初始隔离结构覆盖所述真鳍部的侧壁。

11.如权利要求10所述的半导体器件的形成方法,其特征在于,在所述第一绝缘层上形成第二绝缘层之后,在所述衬底上形成伪栅结构之前,回刻蚀所述初始隔离结构,形成隔离结构,所述第二根鳍部的高度不高于所述隔离结构的高度。

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