[发明专利]一种刻蚀方法以及三维存储器

说明书

本发明实施例公开了一种刻蚀方法以及三维存储器，其中，所述方法包括：提供待刻蚀的半导体结构，所述半导体结构包括位于顶层的帽盖层；刻蚀所述帽盖层，以在所述帽盖层内形成第一开口，所述第一开口的顶端具有第一开口尺寸；在所述半导体结构上具有掩膜层，所述掩膜层内具有与所述第一开口对应设置的第二开口，所述第二开口的底端具有第二开口尺寸；所述第二开口尺寸小于所述第一开口尺寸；采用干法刻蚀工艺，沿所述第二开口和所述第一开口刻蚀所述半导体结构，以在所述半导体结构内形成沿所述第一开口加深的第三开口。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种刻蚀方法以及三维存储器。

背景技术

存储器(Memory)是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备。随着各类电子设备对集成度和数据存储密度的需求的不断提高，普通的二维存储器件越来越难以满足要求，在这种情况下，三维(3D)存储器应运而生。

在3D NAND存储器的制备工艺中，深孔刻蚀和深槽刻蚀是一道非常重要的工艺，工艺流程为先刻蚀硬掩膜层，再深孔或深槽刻蚀。刻蚀形成的深孔或深槽的侧壁形貌直接影响后续工艺的进行；如果刻蚀工艺不能按照预期要求进行，将有可能影响最终制备的存储器件的工作性能。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例为解决背景技术中存在的至少一个问题而提供一种刻蚀方法以及三维存储器。

为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：

本发明实施例提供了一种刻蚀方法，所述方法包括：

提供待刻蚀的半导体结构，所述半导体结构包括位于顶层的帽盖层；

刻蚀所述帽盖层，以在所述帽盖层内形成第一开口，所述第一开口的顶端具有第一开口尺寸；

在所述半导体结构上具有掩膜层，所述掩膜层内具有与所述第一开口对应设置的第二开口，所述第二开口的底端具有第二开口尺寸；所述第二开口尺寸小于所述第一开口尺寸；

采用干法刻蚀工艺，沿所述第二开口和所述第一开口刻蚀所述半导体结构，以在所述半导体结构内形成沿所述第一开口加深的第三开口。

上述方案中，所述方法具体包括：

在刻蚀所述帽盖层前，在所述半导体结构上形成所述掩膜层；

刻蚀所述掩膜层，以形成所述第二开口；

所述刻蚀所述帽盖层，包括：通过所述第二开口刻蚀所述帽盖层，以在所述帽盖层内形成所述第一开口。

上述方案中，所述刻蚀所述帽盖层，采用湿法刻蚀工艺执行。

上述方案中，所述方法具体包括：

在刻蚀所述帽盖层后，在所述半导体结构上形成所述掩膜层，所述掩膜层覆盖所述第一开口；

刻蚀所述掩膜层，以在所述掩膜层上与所述第一开口对应的位置处形成所述第二开口。

上述方案中，所述第一开口的底端位于所述帽盖层内。

上述方案中，所述掩膜层包括硬掩膜层，所述硬掩膜层的材料包括无定型碳。

上述方案中，所述帽盖层为氧化硅层。

上述方案中，所述半导体结构还包括位于所述帽盖层下方的叠层结构，所述叠层结构包括交替层叠的介质层和牺牲层；所述帽盖层的厚度大于所述介质层的厚度；所述帽盖层的厚度大于所述牺牲层的厚度。

上述方案中，所述第三开口为孔形或沟槽形。

本发明实施例还提供了一种三维存储器，包括：衬底、位于所述衬底上的堆叠结构、位于所述堆叠结构上的帽盖层、以及贯穿所述帽盖层和所述堆叠结构的开口；