[发明专利]一种THz天线的简易制作方法

权利要求书

1.一种THz天线的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、清洗低温GaAs外延片；

步骤2、将低温GaAs外延片固定在蒸发基板上；

步骤3、而后将直径200μm的铜线沿外延片的宽度方向或者长度方向的中心线，固定在外延片上，铜线长度贯穿低温GaAs外延片的长度或者宽度；

步骤4、将低温GaAs外延片放入真空蒸镀机中垂直蒸镀，在固定铜线的低温外延片的表面上先蒸镀20nm厚的铬层，后蒸镀200nm厚的金层；

步骤5、取出低温GaAs外延片，再取下其上铜线，蒸镀的金层形成两个电极，得到了THz天线。

2.如权利要求1所述的一种THz天线的制作方法，其特征在于，还包括如下步骤：

步骤6、在PCB板上焊接两个电极；将低温GaAs外延片放置在PCB板上，让低温GaAs外延片上的两个电极分别与PCB板上的两个电极搭接，再使用导电银胶将电极连接起来；

步骤7、最后在PCB板的两个电极的接头处焊接上导线，用于外接其它器件。

3.如权利要求1所述的一种THz天线的制作方法，其特征在于，所述低温GaAs外延片的制备方法为：

基于半绝缘GaAs层，在580℃下上生长出缓冲GaAs层，然后在200℃下生长光电导材料层，即得到低温GaAs层。

4.如权利要求1所述的一种THz天线的制作方法，其特征在于，所述步骤1中，用酒精清洗低温GaAs外延片。

5.如权利要求1所述的一种THz天线的制作方法，其特征在于，所述步骤2中，使用蒸镀专用胶带将低温GaAs外延片固定在蒸发基板上。