[发明专利]一种银蚀刻液组合物

说明书

本发明提供了一种银蚀刻液组合物，所述组合物包括无机酸、有机酸、无机盐和余量的离子水，本发明的银蚀刻液蚀刻能力强,具有长时间使用寿命,可有效蚀刻由银或银合金构成的单一膜、或者由所述单一膜和透明导电膜构成的多层膜,不会引起银的残留或残渣,在半导体平面显示等微电子领域具有良好的应用前景。

技术领域

本发明涉及银蚀刻液组合物领域，具体为一种银蚀刻液组合物。

背景技术

随着半导体的快速发展,其在显示和信息处理技术领域得到广泛应用,其中平板显示器作为一种便捷的显示设备得到人们的广泛关注和积极开发。目前,常用的平板显示器包括液晶显示装置(LCD)、有机发光元件(OLED)、等离子体显示装置(PDP)、场发射显示装置(FED)等。此类平板显示器可在电视机、视频显示器、笔记本电脑、移动智能终端等多种显示仪器中使用特别是液晶显示器和有机发光显示器由于其轻薄和低耗电力的优势,被厂泛应用于各种如电视机、电脑、移动终端等显示设备中。此类平板显示器的制造工艺包括,首先在基板上形成金属薄膜,然后在该薄膜上形成具有预定图案的保护膜,再将其作为掩膜对金属薄膜进行蚀刻。其中,银因为与其他金属相比具有低电阻率和高亮度、高导电率(Ag:电阻率约1.59μ9cm),可以有效的解决信号延迟问题,因此银膜、银合金膜或包括银合金膜的多层膜被越来越多的应用于平板显示的电极、布线或反射基板中。

在将含银(Ag)薄膜蒸镀于基板上的工艺中,为了对该银薄膜进行图案化,而使用蚀刻液时,常会引起如下问题:蚀刻不良而发生再吸附,蚀刻速度慢而工序时间变长,微细蚀刻困难等。此外,银(Ag)如果被过度蚀刻或被不均匀蚀刻,则会导致配线的鼓翘或脱落,以及使配线的侧面轮廓发生不良等现象,影响最终的平板显示器的应用。所以,当前,为了克服现有蚀刻液的缺陷,适应新的清洗要求,亟待寻求一种能够比如克服银蚀刻速率不稳定、蚀刻后银残渣、环境更为友善以及能够保护多样化材料金属钛和氧化硅等问题的蚀刻液。

现有技术中有包含磷酸和过氧化氢以达到蚀刻目的蚀刻液,有使用磷酸、硝酸、醋酸和一些螯合剂及表面活性剂的蚀刻液,有以多元酸或其他有机酸替代醋酸的蚀刻液,这些蚀刻液均存在银残留、蚀刻不完全、银吸附回沾和银蚀刻速率在使用寿命期间不稳定等问题:而且现有技术的蚀刻液也难以控制非金属氧化物及金属钛的腐蚀速率。

如CN1476489A公开了含硝酸、磷酸、多元羧酸的蚀刻液,该蚀刻液用多元羧酸替代了醋酸,虽然改善了因醋酸味重带来的作业环境差的问题,但是没有解决银在使用期间蚀刻速率的稳定问题,同时,由于有机多元羧酸在体系中溶解性差也造成了蚀刻速率的不稳定；CN103820784A公开了一种银蚀刻液,该蚀刻液含硝酸、硫酸、三价铁盐。该蚀刻液未加入用双氧水使得蚀刻液具有较久的存储放置时间,该蚀刻液在存储30天后蚀刻速率并无大幅度降低。但是该蚀刻液未控制钛和氧化硅的蚀刻速率,在使用方面有较大的限制CN106702384A公开了一种含硝酸,丙酸,磷酸,唑系化合物的蚀刻液。该蚀刻液采用丙酸取代了常用的醋酸,增加了润湿性改善了蚀刻的均匀性。但是该蚀刻液引入了唑系化合物,由于唑系化合物的吸附性使得蚀刻液比较容易在后续工艺中产生小黑点的缺陷,也可能会造成局部区域发黑，实际情况是无法完全解决本技术领域中作为主要问题的残渣和银再吸附问题，也无法完全解决异种的导电膜的蚀刻率差异导致的不均匀的蚀刻轮廓、过蚀刻(over-etch)、溢悬over-hang)等不良问题。

发明内容

本发明的目的在于：为了解决上述的问题，提供一种银蚀刻液组合物，所述组合物包括无机酸、有机酸、无机盐和余量的离子水，

所述银蚀刻液组合物按重量百分比包括以下组分:

余量为去离子水。

所述无机酸为硝酸、磷酸、盐酸、硫酸的其中一种。