[发明专利]一种大尺寸111晶向低位错密度InSb晶体生长方法在审
| 申请号： | 202010770751.7 | 申请日： | 2020-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN111910255A | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 赵超;董涛;程波;彭志强;贺利军 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B15/00 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 罗丹 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 111 低位 密度 insb 晶体生长 方法 | ||
1.一种大尺寸111晶向低位错密度InSb晶体生长方法，其特征在于，包括：
在放肩阶段：保持InSb晶体直径按照控制放肩角度5°～20°，放肩角度浮动≤±5°，进行直径生长；
在等径阶段，稳定InSb晶体的生长条件，以使InSb晶体直径角度浮动≤±5°；
在收尾阶段，InSb晶体按照收尾角度为-5°～-30°，收尾角度浮动≤±5°进行直径减小。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
在生长开始阶段使用缩颈方法，以降低InSb籽晶下晶时的温度冲击而产生的位错。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，
所述缩颈方法的缩颈直径约为籽晶直径的1/3～4/5，缩颈长度为2mm～50mm。
4.根据权利要求1-3中任意一项所述的方法，其特征在于，
在装料时，装入In：Sb＝1：1.01～1.1的摩尔比的原材料，以降低In-Sb比例失衡。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，
控制InSb晶体在预设时间内完成生长，以避免锑的比例偏离化学计量比例。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，
通过控制环境气体压力和流速以减少沉积路径；
所述环境气体压力≥1.1个大气压，气体流速≥1L/min，且加热冷室壁至100℃～500℃。
7.根据权利要求1-3中任意一项所述的方法，其特征在于，保持InSb晶体直径按照控制放肩角度5°～20°，放肩角度浮动≤±5°，进行直径生长，包括：
通过控制拉速参数、转速参数和温度梯度参数，以使InSb晶体直径按照控制放肩角度5°～20°，放肩角度浮动≤±5°，进行直径生长。
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