[发明专利]磁阻式随机存取存储器的布局图案

说明书

本发明公开一种磁阻式随机存取存储器的布局图案，其主要包含第一单元区、第二单元区、第三单元区以及第四单元区设于基底上以及一扩散区设于基底上并延伸至该第一单元区、该第二单元区、该第三单元区以及该第四单元区，其中该扩散区依据上视角度包含一H形。

技术领域

本发明涉及一种磁阻式随机存取存储器的布局图案。

背景技术

已知，磁阻(magnetoresistance,MR)效应是材料的电阻随着外加磁场的变化而改变的效应，其物理量的定义，是在有无磁场下的电阻差除上原先电阻，用以代表电阻变化率。目前，磁阻效应已被成功地运用在硬盘生产上，具有重要的商业应用价值。此外，利用巨磁电阻物质在不同的磁化状态下具有不同电阻值的特点，还可以制成磁性随机存储器(MRAM)，其优点是在不通电的情况下可以继续保留存储的数据。

上述磁阻效应还被应用在磁场感测(magnetic field sensor)领域，例如，移动电话中搭配全球定位系统(global positioning system,GPS)的电子罗盘(electroniccompass)零组件，用来提供使用者移动方位等信息。目前，市场上已有各式的磁场感测技术，例如，各向异性磁阻(anisotropic magnetoresistance,AMR)感测元件、巨磁阻(GMR)感测元件、磁性隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)感测元件等等。然而，上述现有技术的缺点通常包括：较占芯片面积、制作工艺较昂贵、较耗电、灵敏度不足，以及易受温度变化影响等等，而有必要进一步改进。

发明内容

本发明一实施例揭露一种磁阻式随机存取存储器的布局图案，其主要包含第一单元区、第二单元区、第三单元区以及第四单元区设于基底上以及一扩散区设于基底上并延伸至该第一单元区、该第二单元区、该第三单元区以及该第四单元区，其中该扩散区依据上视角度包含一H形。

本发明另一实施例揭露一种半导体元件，其主要包含第一单元区以及第二单元区设于基底上以及一扩散区设于该基底上并延伸至该第一单元区以及该第二单元区，其中扩散区依据上视角度包含一第一H形以及一第二H形。

附图说明

图1至图5为本发明一实施例的一MRAM元件的布局示意图；

图6至图10为本发明一实施例的一MRAM元件的布局示意图。

主要元件符号说明

12:基底

14:第一单元区

16:第二单元区

18:第三单元区

20:第四单元区

22:扩散区

24:第一部分

26:第二部分

28:第三部分

30:第四部分

32:第五部分

34:第一栅极图案

36:第二栅极图案

38:第三栅极图案

40:第四栅极图案

42:第一金属图案

44:第二金属图案

46:第三金属图案

48:第四金属图案

50:第五金属图案

52:接触洞图案

54:接触洞图案