[发明专利]重离子束C辐照诱变大豆的方法

权利要求书

1.重离子束C辐照诱变大豆的方法，其特征在于所述重离子束C辐照诱变大豆的方法如下：

一、采用重离子束碳离子辐照大豆种子种脐，照射的大豆种子粒数为450-550粒，辐照剂量为120Gy，剂量率为40Gy/分钟，辐照时间30分钟，换样时间为15分钟，得到当代M₀种子；

二、采用重离子束碳离子辐照当代M₀种子，照射的当代M₀种子粒数为450-550粒，辐照剂量为120Gy，剂量率为40Gy/分钟，辐照时间30分钟，换样时间为15分钟，然后播种，田间调查，记录特异性变异，存活植株全部单株收获，得到M₁代；

三、第二年春天，将M₁代全部单株种植成株行，同时种植未经过辐照的对照品种，M₂代突变植株会在株行中出现性状分离，秋季参照对照品种将所有变异植株单株收获并编号保存，在室内进行考种；

四、当年冬季，将收获的变异单株M₂代在海南三亚加代种植成M₃代，生育期间对M₃代表型性状继续进行田间调查，对于性状稳定的M₃代做好田间调查和记录；对于继续分离的M₃代植株进行挂牌标记，将成熟后稳定M₃代取样并进行测产，按株系收获，M₃代继续分离的株系单株收获、编号考种；

五、第三年春天，将M₃收获的植株单株种植，得到M₄代，选择出性状优良且稳定遗传的株系，即完成重离子束C辐照诱变大豆。

2.根据权利要求1所述重离子束C辐照诱变大豆的方法，其特征在于步骤一所述照射的大豆种子粒数为500粒。

3.根据权利要求1所述重离子束C辐照诱变大豆的方法，其特征在于步骤一中所述大豆种子为生育期短，籽粒小，三粒荚四粒荚偏多，产量适中，抗性强的大豆品种。

4.根据权利要求1所述重离子束C辐照诱变大豆的方法，其特征在于步骤四中所述M₂代的种植规模为150-200个株系。

5.根据权利要求1所述重离子束C辐照诱变大豆的方法，其特征在于步骤五中所述M₃代的种植规模为1800-2200株，按单株种植成株系，并按变异性状划分成不同的小区。

6.根据权利要求1所述重离子束C辐照诱变大豆的方法，其特征在于步骤五中所述性状优良是籽粒变大、产量增高、抗倒伏、蛋白质脂肪含量升高和一粒荚二粒荚数目增多。