[发明专利]单晶硅片的制绒方法、单晶硅太阳能电池及其制备方法

说明书

本发明涉及一种单晶硅片的制绒方法、单晶硅太阳能电池及其制备方法。上述单晶硅片的制绒方法包括如下步骤：对单晶硅片采用第一混合溶液进行前清洗，第一混合溶液包括质量比为3:8～3:10的碱性试剂与H₂O₂；对单晶硅片进行制绒；对单晶硅片依次采用第二混合溶液和混合酸液进行后清洗，然后干燥，其中，第二混合溶液包括质量比为3:8～3:10的碱性试剂与H₂O₂，混合酸液包括体积比为2:3～2.5:3的氢氟酸和盐酸。上述单晶硅片的制绒方法能够使硅片表面快速脱水，不容易残留脏污，从而避免硅片黑点产生，提升产品良率，进而改善电池片的电性能。

技术领域

本发明涉及太阳能电池领域，特别是涉及一种单晶硅片的制绒方法、单晶硅太阳能电池及其制备方法。

背景技术

单晶硅片快速制绒的过程中，杂质容易在硅片表面残留，造成外观不良而影响产品良率。传统方法多是通过频繁换水或换液来解决此类问题，但是此种方法会增加非硅成本且时间周期较长，降低了生产效率。

发明内容

基于此，有必要提供一种对生产效率影响较小且能够提高产品良率的单晶硅片的制绒方法。

此外，还有必要提供一种单晶硅太阳能电池及其制备方法。

一种单晶硅片的制绒方法，包括如下步骤：

对单晶硅片采用第一混合溶液进行前清洗，所述第一混合溶液包括质量比为3:8～3:10的碱性试剂与H₂O₂；

对前清洗后的所述单晶硅片进行制绒；及

对制绒后的所述单晶硅片依次采用第二混合溶液和混合酸液进行后清洗，然后干燥，其中，所述第二混合溶液包括质量比为3:8～3:10的碱性试剂与H₂O₂，所述混合酸液包括体积比为2:3～2.5:3的氢氟酸和盐酸，所述氢氟酸中HF的质量浓度为40％～55％，所述盐酸中HCl的质量浓度为30％～45％。

在其中一个实施例中，在所述后清洗的步骤之后，在所述干燥的步骤之前，还包括采用温度为80℃～100℃的热水对后清洗后的所述单晶硅片进行清洗的步骤。

在其中一个实施例中，所述采用温度为80℃～100℃的热水对后清洗后的所述单晶硅片进行清洗的步骤中，清洗的时间为8min～15min。

在其中一个实施例中，所述第一混合溶液由体积比为1:4～1:5的碱性溶液与双氧水溶液混合而成，所述碱性溶液中，所述碱性试剂的质量浓度为40％～50％，所述双氧水溶液中，所述H₂O₂的质量浓度为25％～35％；所述第二混合溶液由体积比为1:4～1:5的碱性溶液与双氧水溶液混合而成，所述碱性溶液中，所述碱性试剂的质量浓度为40％～50％，所述双氧水溶液中，所述H₂O₂的质量浓度为25％～35％。

在其中一个实施例中，所述碱性试剂选自氢氧化钠及氢氧化钾中的至少一种。

在其中一个实施例中，采用所述第一混合溶液进行前清洗的步骤中，温度为60℃～90℃，时间为150s～250s。

在其中一个实施例中，采用所述第二混合溶液进行后清洗的步骤中，温度为60℃～90℃，时间为150s～250s。

在其中一个实施例中，采用所述混合酸液进行后清洗的步骤中，清洗时间为150s～300s。

在其中一个实施例中，在所述对单晶硅片采用第一混合溶液进行前清洗的步骤之前，还包括采用碱性溶液对所述单晶硅片进行去除损伤层处理的步骤；及/或，