[发明专利]一种信息译码方法、装置、电子设备及存储介质

说明书

本申请提供一种信息译码方法、装置、电子设备及存储介质，获取page(页)的目标基础信息，并根据目标基础信息确定page的目标最低读取次数和目标LLR信息，根据目标最低读取次数来确定page所需读取次数，确定每次读取的cell(存储单元)的阈值电压所属电压区域并利用目标LLR(置信度)信息获得的cell的LLR值，进而求得page中每个cell的LLR均值，以对page中所有cell的LLR均值进行译码得到page的译码结果。本申请可以降低因随机电报噪声引起的cell的阈值电压波动，使得赋予cell的LLR值不准确，导致LDPC软译码效率低，LDPC软译码纠错能力受限的问题。

技术领域

本发明涉及信息译码领域，更具体地说，涉及一种信息译码方法、装置、电子设备及存储介质。

背景技术

随着工艺的进步，3D NAND Flash已经从SLC【每个cell可以存储1bit(1比特)信息】、MLC【每个cell可以存储2bit(2比特)信息】发展到TLC【每个cell可以存储3bit(3比特)信息】，甚至QLC【每个cell可以存储4bit(4比特)信息】，堆叠层数也从32层发展至64层、128层、256层等。

随着闪存的发展，可靠性问题越来越显著，为了增强数据可靠性，低密度奇偶校验码(low density parity code，LDPC)被广泛应用。通常情况下，信息位进行编码，编码得到的码字(信息位与校验位共同组成)写入闪存各个cell中，存储一定时间后，LDPC软译码使用多个读电压确定cell的阈值电压所属电压区域，因不同电压区域对应不同的LLR(置信度)，所以赋予cell对应的LLR值，得到码字中各个比特的LLR值以后，使用和积(Sum-Product，SP)算法进行译码，即可得到存储信息。

然而，由于读噪声(包括随机电报噪声、热噪声等)的存在，执行信息读取操作时，cell读取电压发生波动，cell所属电压区域判断错误，赋予cell错误的LLR值，致使初始误码率(RBER)增高，LDPC软译码所需迭代次数变多，LDPC软译码效率低，LDPC软译码纠错能力受限。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种信息译码方法、装置、电子设备及存储介质，以提高信息译码过程中LDPC软译码效率及LDPC软译码纠错能力。技术方案如下：

一种信息译码方法，包括：

确定待进行信息译码的存储器中的页page，所述page由至少一个存储单元cell组成；

获取所述page的目标基础信息，所述目标基础信息包括所述page的历史编擦次数和当前所述page中存储信息在所述page中的存储时长；

根据所述目标基础信息确定所述page的目标置信度LLR信息和目标最低读取次数，所述目标LLR信息指示所述page的至少一个电压区域和每个所述电压区域的LLR值；

读取所述目标最低读取次数的所述page，获取每次读取所述page时所述page中每个所述cell的阈值电压所属电压区域，利用所述目标LLR信息和所述cell的各个所述阈值电压所属电压区域计算所述page中每个所述cell的LLR均值；

对所述page中所有所述cell的LLR均值进行译码得到所述page的译码结果。

优选的，所述根据所述目标基础信息确定所述page的目标置信度LLR信息和目标最低读取次数，包括：

确定所述page在所述存储器中所属的目标page组，所述存储器由多个page组构成，所述page组包括多个page；

获取预先设置的与所述目标page组对应的至少一个LLR信息和至少一个最低读取次数，所述至少一个LLR信息包括所述目标page组分别在预先设置的至少一个基础信息中每个所述基础信息的LLR信息，所述至少一个最低读取次数包括所述目标page组分别在每个所述基础信息的最低读取次数；