[发明专利]铝基碳化硅基板的表面改质方法在审
| 申请号： | 202010772386.3 | 申请日： | 2020-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN114068334A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 施鸿贵;廖忠仪;廖九岳 | 申请（专利权）人： | 施鸿贵;廖忠仪;廖九岳 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/14 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 马鑫 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 表面 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种铝基碳化硅基板的表面改质方法，其特征在于，包括：
(a)加热陶磁材料至全熔或半熔状态；
(b)喷涂该全熔或半熔的陶磁材料至一铝基碳化硅基板的表面，以形成一喷涂沉积层；及
(c)冷却及回火该喷涂沉积层。
2.如权利要求1所述的铝基碳化硅基板的表面改质方法，其特征在于，步骤(a)是以电浆炬(plasma torch)实施。
3.如权利要求1所述的铝基碳化硅基板的表面改质方法，其特征在于，步骤(b)是以一喷枪实施。
4.如权利要求3所述的铝基碳化硅基板的表面改质方法，其特征在于，该喷枪是以高速气流将已加热的陶磁材料喷出。
5.如权利要求4所述的铝基碳化硅基板的表面改质方法，其特征在于，该高速气流的胚射速度是大于280m/sec。
6.权利要求1所述的铝基碳化硅基板的表面改质方法，其特征在于，步骤(c)中的冷却回火速度为-3℃/min。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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