[发明专利]一种高通量细胞培养芯片的结构及其制作与使用方法

权利要求书

1.一种高通量细胞培养芯片的结构，其特征在于，包括：

培养层芯片和进样层芯片；

所述培养层芯片包括：若干主通道结构和与所述主通道结构对应连通的多个分支结构；

其中，每个所述分支结构包括：培养层连接区；所述进样层芯片包括：多个通道结构；每个所述通道结构均包括：多个进样层连接区；每个所述进样层连接区均与所述分支结构上的一所述培养层连接区连通。

2.根据权利要求1所述的高通量细胞培养芯片的结构，其特征在于，所述分支结构还包括：培养层观察区和培养层主通道区；

每个所述主通道结构均通过与其对应的多个所述分支结构中的所述培养层观察区和所述培养层主通道区与所述培养层连接区连通。

3.根据权利要求2所述的高通量细胞培养芯片的结构，其特征在于，所述分支结构还包括：培养层栅栏区；所述主通道结构通过所述培养层栅栏区与所述培养层观察区连通。

4.根据权利要求3所述的高通量细胞培养芯片的结构，其特征在于，所述培养层观察区的高度为3-5um，所述培养层连接区的高度为40-100um，所述培养层主通道区的高度为10-30um，所述培养层栅栏区的高度为1-2.5um。

5.根据权利要求1所述的高通量细胞培养芯片的结构，其特征在于，所述主通道结构上设有培养液入口。

6.根据权利要求1所述的高通量细胞培养芯片的结构，其特征在于，所述通道结构还包括：进样层主通道区；

每个所述进样层主通道区均与多个所述进样层连接区连通，所述进样层主通道区通过所述进样层连接区与所述分支结构上的一所述培养层连接区连通。

7.根据权利要求6所述的高通量细胞培养芯片的结构，其特征在于，所述进样层主通道区上设有进样入口和废液出口；所述进样层主通道区的高度为20-60um，所述进样层连接区的高度为60-150um。

8.一种如权利要求1-7中任一项所述的高通量细胞培养芯片的结构的制作方法，其特征在于，包括：

分别制备培养层芯片和进样层芯片的模具；

将制备材料涂布在模具上并进行固化处理；

将模具上培养层芯片的培养层连接区与进样层芯片的进样层连接区进行对位。

9.一种利用如权利要求1-7中任一项所述的高通量细胞培养芯片的结构的使用方法，其特征在于，包括：

将不同细胞溶液通过进样层芯片中不同的通道结构导入；

将不同细胞溶液通过与其对应的进样层连接区和培养层连接区进入培养层芯片的不同分支结构中；

在培养层芯片的各主通道结构中加入不同培养液，并对不同分支结构中的细胞溶液进行检测。