[发明专利]成膜方法

权利要求书

1.一种成膜方法，所述成膜方法具有如下步骤：

使氨基硅烷气体吸附于表面形成有凹部的基板上的步骤；

向所述基板供给氧化气体，对吸附于所述基板上的所述氨基硅烷气体进行氧化，从而使硅氧化膜堆积于所述基板上的步骤；和，

利用等离子体将包含氮气及氢气的混合气体活化后供给至所述硅氧化膜，从而进行所述硅氧化膜的改性处理的步骤。

2.根据权利要求1所述的成膜方法，其中，

在所述进行改性处理的步骤中，生成NH活性物种。

3.根据权利要求1或2所述的成膜方法，其中，

所述氢气的供给量相对于所述氮气的供给量之比为1～3的范围内。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的成膜方法，其中，

重复进行所述使氨基硅烷气体吸附的步骤、所述使硅氧化膜堆积的步骤及所述进行改性处理的步骤。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的成膜方法，其中，

重复所述使氨基硅烷气体吸附的步骤、所述使硅氧化膜堆积的步骤及所述进行改性处理的步骤，直至所述硅氧化膜被填充到所述凹部为止。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的成膜方法，其中，

在所述使氨基硅烷气体吸附的步骤与所述使硅氧化膜堆积的步骤之间、以及所述进行改性处理的步骤与所述使氨基硅烷气体吸附的步骤之间，分别设有向所述基板供给第一吹扫气体及第二吹扫气体的步骤。

7.根据权利要求6所述的成膜方法，其中，

所述基板沿着设于真空容器内的旋转台上的周向配置，

在所述真空容器内的所述旋转台的上方，沿着所述旋转台的旋转方向设有氨基硅烷气体吸附区域、第一分离区域、氧化气体供给区域、等离子体处理区域、和第二分离区域，通过使所述旋转台旋转而重复所述使氨基硅烷气体吸附的步骤、所述供给第一吹扫气体的步骤、所述使硅氧化膜堆积的步骤、所述进行改性处理的步骤以及所述供给第二吹扫气体的步骤。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的成膜方法，其中，

在所述基板的表面预先形成包含硅氮化膜的底膜。