[发明专利]半绝缘单晶碳化硅块材以及粉末在审
| 申请号： | 202010773040.5 | 申请日： | 2020-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN113818081A | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 马代良;虞邦英;林柏丞 | 申请（专利权）人： | 盛新材料科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B29/64;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 李有财 |
| 地址： | 中国台湾桃园市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘 碳化硅 以及 粉末 | ||
1.一种半绝缘单晶碳化硅块材，其特征在于，包括单一多形体的单晶，所述半绝缘单晶碳化硅块材内具有硅空缺，其中，所述硅空缺浓度大于5E11cm^-3。
2.如权利要求1所述的半绝缘单晶碳化硅块材，其特征在于，所述硅空缺浓度小于5E13cm^-3。
3.如权利要求1所述的半绝缘单晶碳化硅块材，其特征在于，所述半绝缘单晶碳化硅块材的厚度大于等于10um。
4.如权利要求1所述的半绝缘单晶碳化硅块材，其特征在于，所述半绝缘单晶碳化硅块材的厚度小于等于5cm。
5.如权利要求1所述的半绝缘单晶碳化硅块材，其特征在于，所述半绝缘单晶碳化硅块材的直径大于等于90mm。
6.如权利要求1所述的半绝缘单晶碳化硅块材，其特征在于，所述半绝缘单晶碳化硅块材的直径小于等于200mm。
7.如权利要求1所述的半绝缘单晶碳化硅块材，其特征在于，所述半绝缘单晶碳化硅块材的电阻率大于1E7 ohm-cm。
8.如权利要求1所述的半绝缘单晶碳化硅块材，其特征在于，所述单一多形体选自碳化硅的3C、4H、6H和15R多形体。
9.一种半绝缘单晶碳化硅粉末，由权利要求1至8中任一项所述的半绝缘单晶碳化硅块材加工而成，其特征在于，所述硅空缺浓度大于5E11cm^-3。
10.如权利要求9所述的半绝缘单晶碳化硅粉末，其特征在于，所述硅空缺浓度小于5E13cm^-3。
11.如权利要求9所述的半绝缘单晶碳化硅粉末，其特征在于，所述半绝缘单晶碳化硅粉末的粒径大于等于1m。
12.如权利要求9所述的半绝缘单晶碳化硅粉末，其特征在于，所述半绝缘单晶碳化硅粉末的粒径小于等于500m。
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