[发明专利]三维存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，包括：

提供半导体器件；

采用第一温度对所述半导体器件进行第一热处理，以使所述半导体器件致密化释放应力，其中，所述半导体器件进行第一热处理的时间为第一时间；

在进行第一热处理后的所述半导体器件上形成沟道孔。

2.根据权利要求1所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，在采用第一温度对所述半导体器件进行第一热处理之前，所述制备方法还包括：

采用第二温度对所述半导体器件进行第二热处理，以使所述半导体器件上的氢键断裂，其中，所述半导体器件进行第二热处理的时间为第二时间。

3.根据权利要求1所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，对所述半导体器件进行第一热处理的次数为多次。

4.根据权利要求1所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，所述第一温度小于所述第二温度，所述第一时间大于所述第二时间。

5.根据权利要求1所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，所述第一温度为900℃-950℃，所述第一时间为60分钟-220分钟。

6.根据权利要求2所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，所述第二温度为1000℃-1080℃，所述第二时间为5秒-10秒。

7.根据权利要求1所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，所述半导体器件包括衬底与设于所述衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构为绝缘层与栅极牺牲层交替层叠的叠层，所述沟道孔贯穿于所述堆叠结构，且所述沟道孔露出所述衬底。

8.根据权利要求7所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，所述绝缘层为二氧化硅层，所述栅极牺牲层为氮化硅层。

9.根据权利要求1所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，在所述半导体器件上形成沟道孔后，所述制备方法还包括：

在所述沟道孔内形成外延结构；

在所述沟道孔的侧壁上形成电荷存储层；

在所述电荷存储层与所述外延结构上形成沟道层。

10.根据权利要求2所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，所述第二热处理包括热退火。

11.一种三维存储器，其特征在于，所述三维存储器由权利要求1-10任一项所述的制备方法制成。