[发明专利]裸芯片封装方法

权利要求书

1.裸芯片封装方法，其特征在于，包括步骤：

S1、选择双面胶膜；

S2、贴附双面胶膜，形成双面胶封装，使裸芯片处于双面胶封装内；

S3、第一次清洗；

S4、去除双面胶封装；

S5、第二次清洗；

其中，所述步骤S2中，所述双面胶封装呈梯形结构，形成容纳裸芯片的密闭空间，所述密闭空间为梯形；

所述步骤S2中，在显微镜下，用镊子将双面胶膜按梯形形状粘接，使双面胶膜的顶端贴合在裸芯片的上表面上，并使双面胶膜粘接在基板上，形成梯形的双面胶封装，裸芯片上表面的四个侧边均与双面胶膜贴合；

所述步骤S3中，采用汽相清洗机进行第一次清洗，并设定汽相清洗机的工作模式为蒸浴模式；清洗前，将装配有裸芯片的模块倒扣放置在汽相清洗机的内部，此时双面胶封装呈现倒状梯形；清洗过程中，裸芯片一直处于双面胶封装内，受双面胶封装隔绝保护，裸芯片表面不会受到清洗剂的直接污染，并且清洗后，双面胶封装不会出现脱落和倒塌的问题；

所述步骤S5中，采用等离子清洗机进行第二次清洗，去除裸芯片焊盘的氧化物以及可能残留的双面胶。

2.根据权利要求1所述的裸芯片封装方法，其特征在于，所述步骤S1中，选择的双面胶膜为无基材纯胶膜。

3.根据权利要求1所述的裸芯片封装方法，其特征在于，所述步骤S4中，在显微镜下，用镊子揭去双面胶封装。

4.根据权利要求1至3任一所述的裸芯片封装方法，其特征在于，所述步骤S5中，设置等离子清洗机的射频功率为300W，清洗时间为180s。