[发明专利]一种氮化镓基大功率芯片散热结构

说明书

本发明公开了一种氮化镓基大功率芯片散热结构，包括散热底板、安装底座，所述散热底板的顶部从下至上依次设置有三氧化二铝衬底层、N型氮化镓子层、P型氮化镓子层和透明导电层，所述散热底板顶部的四角均固定连接有支撑杆，四个所述支撑杆的顶端之间固定连接有顶板，所述顶板上设置有移动散热机构，散热底板上设置有卡紧安装机构，本发明涉及大功率芯片技术领域。该氮化镓基大功率芯片散热结构，通过驱动电机、驱动轴、转盘、第一齿牙、第二齿牙的配合，便于带动回形框左右往复运动，进一步可带动移动风扇左右运动，能对芯片整体进行散热，且通过移动风扇的左右移动，可防止芯片表面积累灰层，使得散热效果更佳。

技术领域

本发明涉及大功率芯片技术领域，具体为一种氮化镓基大功率芯片散热结构。

背景技术

芯片，又称微电路、微芯片、集成电路。是指内含集成电路的硅片，体积很小，常常是计算机或其他电子设备的一部分，现有的氮化镓(GaN)基大功率芯片，包括三氧化二铝(Al2O3)衬底层和氮化镓外延层，氮化镓外延层设置在三氧化二铝衬底层的上面，氮化镓外延层由P型氮化镓子层和N型氮化镓子层组成，P型氮化镓子层位于N型氮化镓子层的上方，P电极金丝焊接在P型氮化镓子层，N电极金丝焊接在N型氮化镓子层，三氧化二铝衬底层本身不导电，导热能力差。

根据专利号为CN205789931U一种氮化镓基大功率芯片散热结构，包括散热底板，散热底板上均匀开有多个散热孔，散热底板的下表面均匀设置有多个散热翅片，且散热翅片均匀分布于散热孔之间；散热底板的上表面上从下至上依次设置有三氧化二铝衬底层、N型氮化镓子层、P型氮化镓子层和透明导电层，散热底板的上表面上且邻近边缘处固定设置有四个均匀分布的定位柱，该氮化镓基大功率芯片散热结构紧靠散热孔和散热翅片的组合，可将热量快速散发出去，散热效果不佳，且对不方便对芯片整体进行安装，使用局限性较大。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提供了一种氮化镓基大功率芯片散热结构，解决了散热效果不佳，且对不方便对芯片整体进行安装，使用局限性较大的问题。

为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：一种氮化镓基大功率芯片散热结构，包括散热底板、安装底座，所述散热底板的顶部从下至上依次设置有三氧化二铝衬底层、N型氮化镓子层、P型氮化镓子层和透明导电层，所述散热底板顶部的四角均固定连接有支撑杆，四个所述支撑杆的顶端之间固定连接有顶板，所述顶板上设置有移动散热机构，所述散热底板上设置有卡紧安装机构；

所述移动散热机构包括驱动电机，所述顶板的底部滑动连接有回形框，所述驱动电机的输出轴固定连接有驱动轴，所述驱动轴的底端依次贯穿顶板、回形框并延伸至回形框的内部，所述驱动轴的表面固定连接有转盘，所述转盘表面的前方固定连接有第一齿牙，所述回形框内壁的两侧均固定连接有与第一齿牙相啮合的第二齿牙，所述回形框的底部通过固定杆固定连接有移动风扇。

优选的，所述卡紧安装机构包括安装槽，所述安装槽设置有两个，两个所述安装槽分别位于散热底板底部的两侧，两个所述安装槽的内壁均活动连接有连接柱，两个所述连接柱相互远离表面的一侧均开设有凹槽，所述凹槽的内壁固定连接有第一磁块，所述凹槽的内壁还滑动连接有第二磁块，所述第二磁块的一侧固定连接有弧形卡块，所述安装槽的内壁开设有与弧形卡块相适配的卡槽。

优选的，所述卡槽的一侧连通有滑槽，所述滑槽的内壁滑动连接有顶杆，所述滑槽的一侧连通有压槽，所述顶杆远离弧形卡块的一端固定连接有压块，所述顶杆的表面套设有复位弹簧。

优选的，所述P型氮化镓子层顶部焊接有P电极金丝，所述P电极金丝远离P型氮化镓子层的一端贯穿透明导电层并延伸至透明导电层的外部，所述散热底板顶部的四角均固定连接有定位杆，所述三氧化二铝衬底层、N型氮化镓子层、P型氮化镓子层和透明导电层上均设置有与定位杆相适配的定位孔，四个所述定位杆的表面均套设有石墨烯环，四个所述石墨烯环的表面均固定连接有第一散热片，所述第一散热片上开设有第一散热孔。