[发明专利]一种LED阵列装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 202010775250.8 申请日: 2020-08-05
公开(公告)号: CN111864032B 公开(公告)日: 2021-12-07
发明(设计)人: 陈梓林 申请(专利权)人: 陈梓林
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/62;H01L25/075;F21K9/20;F21K9/90;F21V19/00;F21V23/00;F21Y115/10;F21Y105/16;F21Y113/17;G08B5/36
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 510641 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 led 阵列 装置 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种LED阵列装置,其特征为:

至少包括相互重叠的前LED层和后LED层,所述前LED层和后LED层的基板均为厚度小于200μm的无色聚酰亚胺膜,所述前LED层贴附于后LED层的前方;

所述前LED层和后LED层设有相同的LED区,所述前LED层的LED区分为大量前单元区,所述后LED层的LED区分为大量后单元区,前单元区和后单元区按相同的阵列排列,使得任一前单元区具有与其相对应的后单元区,所述前单元区和后单元区设有LED器件;

相对应的前单元区和后单元区相互错开且具有重叠区域,所述前单元区在该重叠区域中设有透光窗口,而与其对应的后单元区的LED器件设置在该透光窗口之内,以使得其发光透过所述透光窗口发出;

所述透光窗口为单元区内采用激光切割而成的开孔,其边缘因高温碳化而不透明。

2.如权利要求1所述的LED阵列装置,其特征为:所述透光窗口设有透明导线。

3.如权利要求1所述的LED阵列装置,其特征为:所述LED阵列装置设有三个LED层,其LED器件分别为红光LED、绿光LED和蓝光LED。

4.如权利要求1所述的LED阵列装置,其特征为:所述LED器件为厚度小于200μm的LED芯片。

5.如权利要求1所述的LED阵列装置,其特征为:所述LED器件为封装有红光LED、绿光LED和蓝光LED的彩色LED灯珠。

6.如权利要求1所述的LED阵列装置,其特征为:所述LED层的驱动电路为薄膜电路。

7.如权利要求6所述的LED阵列装置,其特征为:所述薄膜电路至少包括复合导电层,所述复合导电层包括金属层和覆盖该金属层的透明导电层,所述金属层和透明导电层被图形化为相同的线路,所述金属层还设有作为透光窗口的开口,而所述透明导电层覆盖所述开口。

8.如权利要求1所述的LED阵列装置,其特征为:所述LED器件采用动态驱动的方式进行控制。

9.如权利要求1所述的LED阵列装置,其特征为:所述LED层具有相同的驱动电路。

10.一种LED阵列装置的制造方法,其包括以下步骤:

步骤一、制作至少两个LED层,每个LED层的制作步骤进一步包括:

(1)、先将作为无色聚酰亚胺前驱物的聚酰胺酸涂覆在载板上,固化聚合后形成作为LED层基板的无色聚酰亚胺膜;

(2)、在无色聚酰亚胺膜上形成作为驱动电路的薄膜电路,所述薄膜电路设有对应于LED器件阵列的焊接位和透光窗口,其中,采用激光切割工艺在透光窗口上形成开孔,在激光烧蚀高温碳化的作用下,开孔的边缘呈现为不透明的黑色;

(3)、将LED器件焊接到所述焊接位上;

(4)、将无色聚酰亚胺膜从玻璃载板上剥离下来而得到LED层;

步骤二、至少粘合上述两个LED层,形成包括前LED层和后LED层的粘合结构,其中,前LED层和后LED层相互错开,使得后LED层的LED器件处于前LED层的透光窗口之内。

11.如权利要求10所述的LED阵列装置的制造方法,其特征为:在粘合所述LED层之前,还对LED层进行检测,并对出现LED焊接不良的LED层进行返修。

12.如权利要求10所述的LED阵列装置的制造方法,其特征为,所述薄膜电路在制作时进一步包括以下步骤:

(1)、形成一金属层,图形化为线路,所述线路设有作为透光窗口的开口;

(2)、在所述金属层上覆盖一透明导电层,图形化为同样的线路,且覆盖所述透光窗口。

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