[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

衬底；

多个第1配线层，在与所述衬底的表面交叉的第1方向积层，并包含多个导电构件；及

第2配线层，比所述多个第1配线层离所述衬底更远，并包含焊垫电极；且

所述多个第1配线层分别具备从所述第1方向观察时与所述焊垫电极重叠的焊垫区域，

在所述焊垫区域的以第1点为中点的第1假想圆的内侧区域，未设置所述导电构件，

在所述焊垫区域的以所述第1点为中点且半径为所述第1假想圆的半径以上的第2假想圆的外侧区域，设置有以特定图案配置的所述导电构件、或配置在该整个区域的所述导电构件，

如果将所述第1假想圆的半径设为R1，将所述第2假想圆的半径设为R2，那么R2/R1小于1/cos(π/4)。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

所述第1假想圆的直径小于所述焊垫电极的与所述第1方向交叉的第2方向的宽度。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

所述第1假想圆的直径大于所述焊垫电极的与所述第1方向交叉的第2方向的宽度。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

在所述第1假想圆的内侧，包含对应于所述焊垫电极与焊接线的接触面的区域。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

R2/R1小于1/cos(π/8)。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

在所述焊垫区域的所述第2假想圆的整个外侧区域，设置有所述导电构件。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

在所述焊垫区域的所述第2假想圆的外侧区域，以特定图案设置有所述导电构件，且

所述导电构件包含多个第1导电构件，所述多个第1导电构件在与所述第1方向交叉的第2方向延伸，且沿与所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向排列，

在所述多个第1导电构件之间，设置有在所述第2方向延伸的绝缘构件。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

在所述焊垫区域的所述第2假想圆的外侧区域，以特定图案设置有所述导电构件，且

所述导电构件包含：

多个第1导电构件，在与所述第1方向交叉的第2方向延伸，且沿与所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向排列；及

多个第2导电构件，在所述第3方向延伸，沿所述第2方向排列，且与所述多个第1导电构件连接；

在位于所述多个第1导电构件之间且位于所述多个第2导电构件之间的部分，设置有绝缘构件。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，

具备多个接点，在所述第1方向延伸，且与所述多个第1配线层中包含的多个导电构件连接，且

在所述焊垫区域的所述第1假想圆的内侧区域，未设置所述接点，

在所述焊垫区域的所述第2假想圆的外侧区域，设置有所述接点。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，

具备存储器层，所述存储器层设置在所述衬底与所述多个第1配线层之间，

所述存储器层具备存储单元阵列及第1绝缘构件，

所述存储单元阵列具备：

多根第1配线，在所述第1方向积层；

半导体构件，在所述第1方向延伸，且与所述多根第1配线相对向；及

电荷蓄积膜，设置在所述多根第1配线与所述半导体构件之间；

所述多个第1配线层具备第2绝缘构件，所述第2绝缘构件设置在所述焊垫区域的所述第1假想圆的内侧区域，

所述第2绝缘构件连接于所述第1绝缘构件。