[发明专利]含氮化合物、电子元件和电子装置

说明书

本申请涉及有机材料领域，提供了一种含氮化合物、电子元件和电子装置。该含氮化合物的结构如化学式1所示，其中，L选自碳原子数为7‑30的取代或未取代的Q，Q选自：双环稠合亚芳基、三环稠合亚芳基、双环稠合亚杂芳基等；Ar₁、Ar₂和Ar₃相同或不同，且分别独立地选自取代或未取代的碳原子数为6‑30的芳基等。该含氮化合物能够改善电子元件的性能。

技术领域

本申请涉及有机材料领域，具体涉及一种含氮化合物、包括该含氮化合物的电子元件和包括该电子元件的电子装置。

背景技术

随着电子技术的发展和材料科学的进步，用于实现电致发光或者光电转化的电子元器件的应用范围越来越广泛。该类电子元器件通常包括相对设置的阴极和阳极，以及设置于阴极和阳极之间的功能层。该功能层由多层有机或者无机膜层组成，且一般包括能量转化层、位于能量转化层与阳极之间的空穴传输层、位于能量转化层与阴极之间的电子传输层。

举例而言，当电子元件为有机电致发光器件时，其一般包括依次层叠设置的阳极、空穴传输层、作为能量转化层的电致发光层、电子传输层和阴极。当阴阳两极施加电压时，两电极产生电场，在电场的作用下，阴极侧的电子向电致发光层移动，阳极侧的空穴也向发光层移动，电子和空穴在电致发光层结合形成激子，激子处于激发态向外释放能量，进而使得电致发光层对外发光。

在实现电致发光或者光电转化的电子元器件中，位于阳极和能量转化层之间的膜层的空穴传输性能，对电子元器件的性能具有重要的影响。如CN109320480A、KR1020100003632A、KR1020190129802A等公开了可以在有机电致发光器件中制备功能层的空穴传输材料。然而，依然有必要继续研发新型的材料，以进一步提高电子元器件的性能。

背景技术部分申请的上述信息仅用于加强对本申请的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本申请的目的在于提供一种含氮化合物、电子元件和电子装置，以改善电子元件和电子装置的性能。

为实现上述发明目的，本申请采用如下技术方案：

第一方面，本申提供一种含氮化合物，该含氮化合物的结构如化学式1所示：

其中，L选自碳原子数为7-30的取代或未取代的Q，Q选自：双环稠合亚芳基、三环稠合亚芳基、双环稠合亚杂芳基和三环稠合亚杂芳基中的一种，或者选自：单环亚芳基、单环亚杂芳基、双环稠合亚芳基、三环稠合亚芳基、双环稠合亚杂芳基和三环稠合亚杂芳基中的任选至少两个基团彼此通过单键连接所形成的二价基团；

取代的Q是指Q上具有一个或两个以上取代基，且所述取代基各自独立地选自：氘、卤素基团、氰基、碳原子数为6-12的芳基、碳原子数为3-10的杂芳基、碳原子数为1-10的烷基、碳原子数为1-10的卤代烷基、碳原子数为3-10的环烷基、碳原子数为1-10的烷氧基、碳原子数为1-10的烷硫基、碳原子数为3-12的三烷基硅基；

Ar₁、Ar₂和Ar₃相同或不同，且分别独立地选自取代或未取代的碳原子数为6-30的芳基、取代或未取代的碳原子数为3-30的杂芳基；

Ar₁、Ar₂、Ar₃上的取代基相同或不同，且各自独立地选自：氘、卤素基团、氰基、碳原子数为6-20的芳基、碳原子数为3-18的杂芳基、碳原子数为1-10的烷基、碳原子数为1-10的卤代烷基、碳原子数为3-10的环烷基、碳原子数为1-10的烷氧基、碳原子数为1-10的烷硫基、碳原子数为3-12的三烷基硅基；