[发明专利]一种应用硅微纳结构增强磁光效应的衬底

权利要求书

1.一种应用硅微结构增强磁光效应的衬底，其特征在于，包括：基底和周期排列的微结构单元，所述微结构单元为一维线栅形，所述微结构单元周期性地置于所述基底上，所述微结构单元包括第一微纳结构部、第二微纳结构部和磁性材料部，所述第一微纳结构部、所述第二微纳结构部、所述磁性材料部均置于所述基底上，所述磁性材料部置于所述第一微纳结构部和所述第二微纳结构部之间，所述第一微纳结构部和所述第二微纳结构部的材料为硅。

2.如权利要求1所述的应用硅微结构增强磁光效应的衬底，其特征在于：所述第一微纳结构部、所述第二微纳结构部、所述磁性材料部为矩形。

3.如权利要求2所述的应用硅微结构增强磁光效应的衬底，其特征在于：所述第一微纳结构部的侧面与所述第二微纳结构部的侧面平行。

4.如权利要求3所述的应用硅微结构增强磁光效应的衬底，其特征在于：所述第一微纳结构部与所述第二微纳结构部的高度相等。

5.如权利要求4所述的应用硅微结构增强磁光效应的衬底，其特征在于：所述第一微纳结构部与所述第二微纳结构部的高度大于400纳米。

6.如权利要求5所述的应用硅微结构增强磁光效应的衬底，其特征在于：所述第一微纳结构部与所述第二微纳结构部之间的距离小于50纳米。

7.如权利要求1-6任一项所述的应用硅微结构增强磁光效应的衬底，其特征在于：还包括薄膜层，所述薄膜层置于所述基底和所述微结构单元间。

8.如权利要求7所述的应用硅微结构增强磁光效应的衬底，其特征在于：所述薄膜层的材料为贵金属。

9.如权利要求8所述的应用硅微结构增强磁光效应的衬底，其特征在于：所述基底的材料为非磁性材料。

10.如权利要求9所述的应用硅微结构增强磁光效应的衬底，其特征在于：所述磁性材料部的材料为钴、铋铁石榴石。