[发明专利]免洗高镍单晶镍钴锰酸锂正极材料的制备方法及应用

权利要求书

1.一种免洗高镍单晶镍钴锰酸锂正极材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）将氢氧化锂和添加剂溶解于去离子水中，待完全溶解后，加入小粒晶、球状的NCM三元前驱体，搅拌，所述添加剂为可溶性或悬浊液添加剂；

（2）将步骤（1）搅拌后的浆料进行动态蒸干，然后过筛100目，获得分散性较好的粉体物料；

（3）在富氧的气氛条件下，对步骤（2）过筛后的粉体物料进行一次烧结；将烧结后的材料进行颚破、对辊、气流粉碎、过筛，得到单晶一烧基材；

（4）将步骤（2）得到的单晶一烧基材与含B元素的酸性包覆剂进行混合，在二氧化碳和氧气的复合气氛条件下，再次进行烧结，然后将其进行气流粉碎、过筛，得到免洗高镍单晶镍钴锰酸锂正极材料。

2.如权利要求1所述的一种免洗高镍单晶镍钴锰酸锂正极材料的制备方法，其特征在于：所述步骤（1）中NCM三元前驱体采用间歇法制备，比表面积BET小于5 m²/g；球体断面形貌呈径向分布，无明显分层，孔洞或裂纹；平均粒晶D50：3.0—4.0 um。

3.如权利要求1所述的一种免洗高镍单晶镍钴锰酸锂正极材料的制备方法，其特征在于：所述步骤（1）中添加剂为氢氧化物、硫酸盐或氯化物中的一种或多种。

4.如权利要求1所述的一种免洗高镍单晶镍钴锰酸锂正极材料的制备方法，其特征在于：所述酸性包覆剂为硼酸盐、草酸盐、偏磷酸盐、硅酸盐或甲苯磺酸盐中的一种或多种，所述B元素为Al、Ba、Zr、Mg、Ca、Ti、Si、V、Sc、Nb、Ta或Y。

5.如权利要求1所述的一种免洗高镍单晶镍钴锰酸锂正极材料的制备方法，其特征在于，所述步骤（4）获得的单晶正极材料的化学式：LiNi_xCo_yMn_zO₂，其中，x+y+z=1，0.8≦x1，0y0.2，0z0.2；平均粒径D50，5.0±1.0 um；PH=11.40—11.70；残碱CO₃^2- 1500 ppmw，OH^- 1000 ppmw。