[发明专利]一种高纯碳化硅晶体电阻率的检测方法和装置

权利要求书

1.一种高纯碳化硅晶体电阻率的检测方法，其特征在于，所述检测方法包括以下步骤：

用光源照射碳化硅晶体，检测碳化硅晶体的透光波长，比较所述透光波长与标准颜色波长范围的大小，根据比较结果判断电阻率是否合格；所述标准颜色波长范围是电阻率合格的标准碳化硅晶体用同一光源照射后具有的透光颜色波长的数值范围；

当所述透光波长大于所述标准颜色波长范围的最大值时，判定电阻率不合格；当所述透光波长大于等于所述标准颜色波长范围的最小值，且小于等于最大值时，判定电阻率合格；当所述透光波长小于所述标准颜色波长范围的最小值时，精密检测碳化硅晶体的电阻率后再进行判定。

2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述光源采用发出光波长560-580nm的冷光源；所述标准颜色波长范围是579-595nm。

3.根据权利要求2所述的检测方法，其特征在于，当所述透光波长小于579nm且大于570nm时，精密检测碳化硅晶体的电阻率后再进行判定；当所述透光波长小于等于570nm时，判定电阻率不合格。

4.根据权利要求1-3任一所述的检测方法，其特征在于，所述电阻率合格的碳化硅晶体，处理后所得晶片的电阻率小于10^-6ohm/cm。

5.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述透光波长的检测方法如下：将光源的照射方向朝向碳化硅晶体的侧部，并在碳化硅晶体的另一侧接收透过碳化硅晶体的光并检测透过光的三刺激值，根据三刺激值获得透光波长。

6.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述碳化硅晶体采用厚度至少为5mm的晶锭；所述碳化硅晶体选自4H型碳化硅、6H型碳化硅中的一种或两种。

7.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述碳化硅晶体采用物理气相传输法制备获得，所述物理气相传输法包括在惰性气氛下，采用分步降压升温构建长晶温度场的步骤。

8.根据权利要求7所述的检测方法，其特征在于，所述分步降压升温构建长晶温度场的步骤包括：于压力500mbar、温度1400℃-1800℃下保温2-8h；于压力250mbar、温度2000℃-2050℃下保温2-8h；于压力125mbar、温度2080℃-2150℃保温2-8h；于压力60mbar、温度2100-2150℃保温25-40h。

9.一种高纯碳化硅晶体电阻率的检测装置，其特征在于，所述检测装置包括：

感光检测模块，用于接收感应透过碳化硅晶体的透光，并检测所述透光的透光波长；

判断模块，用于比较判断所述感光检测模块检测的透光波长与预设的标准颜色波长范围的大小，并根据比较结果判断碳化硅晶体的电阻率合格、不合格或需要精密检测。

10.根据权利要求9所述的检测装置，其特征在于，所述检测装置还包括显示模块，用于输出并显示所述感光检测模块检测的透光的透光波长和/或三刺激值，和所述判断模块对碳化硅晶体电阻率判断的结果。