[发明专利]一种双面P型电池片的背面结构及其制备方法

权利要求书

1.一种双面P型电池片的背面结构，其特征在于：包括硅衬底层，在所述硅衬底层上设置有钝化层，在所述钝化层上设置有铝层，且所述铝层能穿过钝化层与硅衬底层接触，且所述铝层在高温下生成铝硅化合物，并在所述铝硅化合物上设置金属导线层。

2.根据权利要求1所述的一种双面P型电池片的背面结构，其特征在于：所述钝化层上设置有连续性通孔，且所述连续性通孔呈网格状。

3.根据权利要求2所述的一种双面P型电池片的背面结构，其特征在于：所述连续性通孔的面积占钝化层表面积的2-98％。

4.根据权利要求1所述的一种双面P型电池片的背面结构，其特征在于：所述钝化层包括至少一层氧化铝膜层及至少一层氮化硅膜层。

5.根据权利要求1所述的一种双面P型电池片的背面结构，其特征在于：所述金属导线层设置三层，依次为镍层、铜层、锡层或银层。

6.一种双面P型电池片的背面结构的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1，设置钝化层：在硅衬底层上依次设置至少氧化铝膜层和至少一层氮化硅膜层，且两种膜层组成钝化层；

S2，设置连续性通孔：在钝化层上方使用激光作用于钝化层，且激光能将钝化层烧穿，并露出硅衬底层，激光在钝化层上进行连续性工作，且烧穿的图案连续性通孔；

S3，设置铝层：在连续性通孔上设置铝层，且铝层与硅衬底层接触；

S4，铝硅化合物的生成：上一步骤中的成品，在500-800摄氏度的环境下烧30-60分钟,即得到铝硅化合物；

S5，设置金属导电层：在铝硅化合物上设置金属导线层，金属导线层设置三层，依次为镍层、铜层、锡层或银层。

7.根据权利要求6所述的一种双面P型电池片的背面结构的制备方法，其特征在于：S3中铝层的设置采用印刷或金属溅镀或金属蒸镀的方式。

8.根据权利要求6所述的一种双面P型电池片的背面结构的制备方法，其特征在于：S3中的铝层的线宽能完全覆盖钝化层上的连续性通孔,且铝层高于钝化层，且不高于3um。

9.根据权利要求8所述的一种双面P型电池片的背面结构的制备方法，其特征在于：在S4-S5中，还设置有铝层去除步骤，使铝层与钝化层处于同一高度。

10.根据权利要求6所述的一种双面P型电池片的背面结构的制备方法，其特征在于：S5中采用电镀进行金属导线层的设置。