[发明专利]半导体结构及半导体结构的制造方法

说明书

本发明涉及半导体技术领域，提出了一种半导体结构及半导体结构的制造方法。半导体结构包括衬底；形成于衬底内的隔离结构；字线，所述字线包括第一凸部和第二凸部，其中，所述第一凸部和第二凸部位于所述隔离结构内，且所述第一凸部的深度大于所述第二凸部的深度。第一凸部具有较长的深度，可以增强字线对晶体管沟道的控制能力，改善漏电流。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体结构及半导体结构的制造方法。

背景技术

随着DRAM(Dynamic Random Access Memory)尺寸的不断缩小，存储区域的晶体管尺寸也在不断缩小，由此带来严重的漏电流问题，影响器件性能。

发明内容

本发明提供一种半导体结构及半导体结构的制造方法，以改善半导体结构的性能。

根据本发明的第一个方面，提供了一种半导体结构，包括：

衬底；

形成于衬底内的隔离结构；

字线，字线包括第一凸部和第二凸部，其中，第一凸部和第二凸部位于隔离结构内，且第一凸部的深度大于第二凸部的深度。

在本发明的一个实施例中，字线还包括：主体部，主体部与第一凸部和第二凸部连接。

在本发明的一个实施例中，第一凸部和第二凸部均为多个，多个第一凸部与多个第二凸部间隔设置。

在本发明的一个实施例中，隔离结构包括第一隔离结构和第二隔离结构；第一凸部位于第一隔离结构中，第二凸部位于第二隔离结构中，第一隔离结构的底部低于第二隔离结构的底部。

在本发明的一个实施例中，第一凸部和第二凸部的深度比大于1.05。

在本发明的一个实施例中，第一凸部的深度大于30nm。

在本发明的一个实施例中，第一凸部沿垂直字线延伸方向上的长度大于第二凸部沿垂直字线延伸方向上的长度。

在本发明的一个实施例中，第一凸部包括：

凸下部，凸下部的侧壁具有第一斜率；

凸上部，凸上部的侧壁具有第二斜率；

其中，第一斜率不同于第二斜率。

在本发明的一个实施例中，第二凸部的侧壁具有第三斜率，第一斜率与第三斜率相同。

在本发明的一个实施例中，凸上部沿衬底表面方向上的截面为圆形或椭圆形，凸下部沿衬底表面方向上的截面为条形。

在本发明的一个实施例中，条形包括平行的两条线段以及连接两条线段端部的两条弧形线段。

在本发明的一个实施例中，衬底内设置有多个有源区，隔离结构设置在多个有源区之间；

其中，主体部与有源区相交。

在本发明的一个实施例中，多个有源区排布成多排；

其中，第一隔离结构位于两个有源区的端部之间，第二隔离结构位于相邻两个有源区的侧部之间。

根据本发明的第二个方面，提供了一种半导体结构的制造方法，包括：

提供具有隔离结构和多个有源区的衬底，隔离结构设置在多个有源区之间；

在隔离结构上形成间隔的第一凹槽和第二凹槽，且第一凹槽的深度大于第二凹槽的深度；

在衬底内形成字线，字线包括主体部、第一凸部以及第二凸部，第一凸部和第二凸部分别设置在第一凹槽和第二凹槽内。