[发明专利]一种多芯片测试装置及测试方法

权利要求书

1.一种多芯片测试装置，其特征在于，包括：

多个并联排布的测试子单元；

各个所述测试子单元包括：第一测试电极和第二测试电极，所述第一测试电极与所述第二测试电极适于分别与待测的半导体芯片单元电学连接，所述第一测试电极能为所述半导体芯片单元提供压力；电流采集器，所述电流采集器适于获取所述第一测试电极或所述第二测试电极中通过的测试电流。

2.根据权利要求1所述的多芯片测试装置，其特征在于，所述半导体芯片单元包括半导体芯片，所述半导体芯片具有相对的第一面和第二面，所述半导体芯片的第一面设置有第一芯片电极连接层，所述半导体芯片的第二面设置有第二芯片电极连接层；所述第一测试电极适于朝向所述第一面且与所述第一芯片电极连接层电学连接，所述第二测试电极适于朝向所述第二面且与所述第二芯片电极连接层电学连接。

3.根据权利要求2所述的多芯片测试装置，其特征在于，所述第一芯片电极连接层为所述半导体芯片的发射极，所述第二芯片电极连接层为所述半导体芯片的集电极。

4.根据权利要求2所述的多芯片测试装置，其特征在于，所述第一测试电极用于朝向所述第一面的表面面积大于或等于与所述第一芯片电极连接层的顶部表面面积的80％。

5.根据权利要求2所述的多芯片测试装置，其特征在于，所述半导体芯片的第一面还设置有第三芯片电极连接层，所述第三芯片电极连接层与所述第一芯片电极连接层分立；所述第一测试电极的部分侧壁表面具有缺口，所述缺口适于暴露所述第三芯片电极连接层。

6.根据权利要求5所述的多芯片测试装置，其特征在于，所述第三芯片电极连接层为所述半导体芯片的栅极。

7.根据权利要求5所述的多芯片测试装置，其特征在于，还包括：控制回路电极，所述控制回路电极的一端与所述第三芯片电极连接层连接。

8.根据权利要求7所述的多芯片测试装置，其特征在于，所述控制回路电极的材料包括无氧铜。

9.根据权利要求7所述的多芯片测试装置，其特征在于，所述控制回路电极为导电弹片。

10.根据权利要求2所述的多芯片测试装置，其特征在于，所述半导体芯片单元仅包括半导体芯片；所述第一测试电极适于与所述第一芯片电极连接层连接，所述第二测试电极适于与所述第二芯片电极连接层连接。

11.根据权利要求2所述的多芯片测试装置，其特征在于，所述半导体芯片单元还包括：相对设置的第一导电垫片和第二导电垫片；所述半导体芯片位于所述第一导电垫片和第二导电垫片之间；所述第一导电垫片与所述第一芯片电极连接层接触，所述第二导电垫片与所述第二芯片电极连接层接触；塑封绝缘外壳，环绕所述半导体芯片的侧壁、所述第一导电垫片的侧壁和所述第二导电垫片的侧壁；

所述第一测试电极适于与所述第一导电垫片连接，所述第二测试电极适于与所述第二导电垫片连接。

12.根据权利要求11所述的多芯片测试装置，其特征在于，还包括：密封材料，所述密封材料位于所述塑封绝缘外壳与所述半导体芯片的侧壁之间、所述塑封绝缘外壳与所述第一导电垫片的侧壁之间、以及所述塑封绝缘外壳与所述第二导电垫片的侧壁之间。

13.根据权利要求1所述的多芯片测试装置，其特征在于，所述第二测试电极中具有凹槽；所述多芯片测试装置还包括：位于所述凹槽中的芯片定位卡槽，所述芯片定位卡槽的底部暴露出所述第二测试电极，所述芯片定位卡槽中适于放置所述半导体芯片单元。