[发明专利]用于吹扫半导体处理室狭缝阀开口的装置

权利要求书

1.一种半导体处理室，其包括：

室壁，其至少部分地界定所述半导体处理室；

气体入口；

晶片传送通道，其沿着第一轴线延伸穿过所述室壁，以及包含：

内通道表面，其限定垂直于所述第一轴线的开口，

第一凹陷表面，当沿着所述第一轴线观察时，所述第一凹陷表面至少部分地围绕所述内通道表面延伸以及从所述内通道表面向外偏移，以及

在所述内通道表面和所述第一凹陷表面之间延伸的第一壁表面；以及

插入件，其包含：

插入件内表面，其限定垂直于所述第一轴线的插入件开口，

第一插入件外表面，当沿着所述第一轴线观察时，所述第一插入件外表面至少部分地围绕所述插入件内表面延伸以及从所述插入件内表面向外偏移，以及

在所述插入件内表面和所述第一插入件外表面之间延伸的插入件前表面，

其中：

所述第一凹陷表面、所述第一插入件外表面和所述第一壁表面至少部分地限定气体分配通道，

所述气体分配通道流体连接到所述气体入口，

所述第一凹陷表面从所述第一插入件外表面向外偏移，

所述插入件前表面沿所述第一轴线从所述第一壁表面偏移，

所述插入件前表面被定向成以下之一：相对于所述第一轴线成第一倾斜角，或垂直于所述第一轴线；以及

所述第一壁表面被定向成以下之一：与所述第一轴线成第二倾斜角，或垂直于所述第一轴线。

2.根据权利要求1所述的半导体处理室，其中所述插入件前表面和所述第一壁表面彼此平行。

3.根据权利要求1所述的半导体处理室，其中：

所述插入件前表面被定向成相对于所述第一轴线成所述第一倾斜角，以及

所述第一壁表面被定向成相对于所述第一轴线成所述第二倾斜角。

4.根据权利要求1所述的半导体处理室，其中：

所述插入件前表面垂直于所述第一轴线，以及

所述第一壁表面被定向成相对于所述第一轴线成所述第二倾斜角。

5.根据权利要求1所述的半导体处理室，其中：

所述插入件前表面被定向成相对于所述第一轴线成所述第一倾斜角，以及

所述第一壁表面垂直于所述第一轴线。

6.根据权利要求1所述的半导体处理室，其中所述插入件前表面和所述第一壁表面均垂直于所述第一轴线。

7.根据权利要求1所述的半导体处理室，其中：

所述插入件前表面和所述插入件内表面在第一边缘处会合，

所述第一边缘是圆形的、尖锐的或倒角的，

所述第一壁表面和所述内通道表面在第二边缘处会合，以及

所述第二边缘是圆形的、尖锐的或倒角的。

8.根据权利要求1所述的半导体处理室，其进一步包括一个或多个间隔件，所述一个或多个间隔件从所述插入件前表面沿着平行于所述第一轴线的方向延伸。

9.根据权利要求1所述的半导体处理室，其中所述插入件前表面和所述第一壁表面彼此面对。

10.一种用于半导体处理室的壁中的插入件，所述插入件包括：

插入件内表面，其沿着第一轴线延伸穿过所述插入件，以及限定插入件开口，所述插入件开口具有垂直于所述第一轴线的基本矩形的横截面区域，

第一插入件外表面，当沿着所述第一轴线观察时，所述第一插入件外表面至少部分地围绕所述插入件内表面延伸以及从所述插入件内表面向外偏移，

在所述插入件内表面和所述第一插入件外表面之间延伸的插入件前表面，

第二插入件外表面，当沿着所述第一轴线观察时，所述第二插入件外表面至少部分地围绕所述第一插入件外表面延伸以及从所述第一插入件外表面向外偏移，以及

在所述第一插入件外表面和所述第二插入件外表面之间延伸的插入件壁表面。