[发明专利]电子装置经多次破坏性测试的变形模拟方法

权利要求书

1.一种电子装置经多次破坏性测试的变形模拟方法，其特征在于，包括：

建立N个有限元模型，且第i个有限元模型用于进行该电子装置经第i次破坏性测试的有限元分析，以得到该电子装置经该第i次破坏性测试的数值解答，其中N为大于1的整数，且i为1至N的整数；以及

由i为1开始，萃取该第i个有限元模型得到的该数值解答作为第i+1个有限元模型的可读数据，并让该第i+1个有限元模型根据该可读数据来进行该电子装置经第i+1次破坏性测试的该有限元分析，直到第N个有限元模型进行完该电子装置经第N次破坏性测试的该有限元分析。

2.如权利要求1所述的电子装置经多次破坏性测试的变形模拟方法，其特征在于，该电子装置经多次破坏性测试的变形模拟方法适用于一计算机辅助工程中，且建立该N个有限元模型的步骤包括：

获得该电子装置的一几何模型；以及

对该几何模型进行前置处理，以网格化生成该N个有限元模型。

3.如权利要求2所述的电子装置经多次破坏性测试的变形模拟方法，其特征在于，该电子装置的该几何模型是由一计算机辅助设计软体来制作。

4.如权利要求1所述的电子装置经多次破坏性测试的变形模拟方法，其特征在于，萃取的该数值解答为该电子装置上的至少一零件经该第i次破坏性测试的应变结果与/或应力结果。

5.如权利要求1所述的电子装置经多次破坏性测试的变形模拟方法，其特征在于，该第i个有限元模型和该第i+1个有限元模型还用于进行该电子装置朝不同方位落下测试的该有限元分析。

6.如权利要求1所述的电子装置经多次破坏性测试的变形模拟方法，其特征在于，该电子装置经多次破坏性测试的变形模拟方法还包括：

对该第N个有限元模型得到的该数值解答进行后置处理，以产生一图表结果。