[发明专利]一种基于石墨烯可饱和吸收器件的电压可控全固态被动调Q激光器

权利要求书

1.一种基于石墨烯可饱和吸收器件的电压可控全固态被动调Q激光器，其特征在于：包括：泵浦源、耦合系统、增益介质、石墨烯可饱和吸收器件和光学谐振腔；所述泵浦源通过耦合系统聚焦于增益介质上，所述增益介质上射出的光与石墨烯可饱和吸收器件和光学谐振腔发生作用后输出脉冲激光。

2.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯可饱和吸收器件的电压可控全固态被动调Q激光器，其特征在于：所述泵浦源为光纤耦合的半导体激光器。

3.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯可饱和吸收器件的电压可控全固态被动调Q激光器，其特征在于：所述耦合系统为耦合透镜组，所述泵浦源输出的泵浦光经过耦合透镜组1:1耦合聚焦于增益介质上。

4.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯可饱和吸收器件的电压可控全固态被动调Q激光器，其特征在于：所述增益介质为Nd:YVO₄晶体。

5.根据权利要求4所述的一种基于石墨烯可饱和吸收器件的电压可控全固态被动调Q激光器，其特征在于：所述Nd:YVO₄晶体的输入端面镀有增透膜和高反膜，其输出端面镀有增透膜。

6.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯可饱和吸收器件的电压可控全固态被动调Q激光器，其特征在于：所述石墨烯可饱和吸收器件具有场效应晶体管结构，包括石英玻璃片、石墨烯薄膜、源极、漏极、对准电极、IGZO和Si₃N₄，所述石墨烯薄膜置于石英玻璃片上，所述源极和漏极按照预定电极图案形成于石墨烯薄膜上，所述Si₃N₄生长于石墨烯薄膜、源极和漏极上，所述IGZO生长于Si₃N₄上，所述对准电极按照预定电极图案形成于IGZO上。

7.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯可饱和吸收器件的电压可控全固态被动调Q激光器，其特征在于：所述光学谐振腔包括折叠镜M1和输出镜M2，所述折叠镜M1设置在石墨烯可饱和吸收器件的前方，所述输出镜M2设置在在石墨烯可饱和吸收器件的后方，从增益介质射出的光依次透过折叠镜M1和石墨烯可饱和吸收器件后射向输出镜M2，由输出镜M2输出脉冲激光。

8.根据权利要求7所述的一种基于石墨烯可饱和吸收器件的电压可控全固态被动调Q激光器，其特征在于：所述折叠镜M1为平面凹面镜，该平面凹面镜镀有高反膜和增透膜。

9.根据权利要求7所述的一种基于石墨烯可饱和吸收器件的电压可控全固态被动调Q激光器，其特征在于：所述输出镜M2镀有高反膜。

10.根据权利要求7所述的一种基于石墨烯可饱和吸收器件的电压可控全固态被动调Q激光器，其特征在于：所述增益介质的输入端面至折叠镜M1的距离与折叠镜M1至输出镜M2的距离之间存在一定夹角。