[发明专利]半导体封装方法在审

专利信息
申请号: 202010782035.0 申请日: 2020-08-06
公开(公告)号: CN111816571A 公开(公告)日: 2020-10-23
发明(设计)人: 彭建军 申请(专利权)人: 谭小春
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L21/56
代理公司: 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 代理人: 翟羽
地址: 230000 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体封装方法,其特征在于,包括如下步骤:

(a)提供一薄膜,一环绕所述薄膜的支撑件与所述薄膜的外围连接,所述支撑件与所述薄膜围成一贴片区,在所述贴片区,所述薄膜的一贴装面具有粘性;

(b)在所述贴片区的所述贴装面上贴附至少一芯片,所述芯片具有一正面及与所述正面相对的一背面,所述正面具有至少一焊垫,所述背面与所述薄膜的贴装面粘贴;

(c)进行第一次塑封,形成一第一塑封体,所述第一塑封体覆盖所述芯片的正面及所述贴片区;

(d)去除所述薄膜及所述支撑件,暴露出所述芯片的背面及所述第一塑封体的背面;

(e)进行第二次塑封,形成一第二塑封体,所述第二塑封体覆盖所述芯片的背面,且所述焊垫暴露于所述第一塑封体之外;

(f)切割,形成独立的封装体。

2.根据权利要求1所述的半导体封装方法,其特征在于,所述薄膜的外围的一表面具有粘性,所述支撑件的底面与具有粘性的所述表面连接。

3.根据权利要求1所述的半导体封装方法,其特征在于,在步骤(e)中,进行第二次塑封后,去除部分所述第一塑封体,以暴露出所述焊垫。

4.根据权利要求1所述的半导体封装方法,其特征在于,在步骤(e)后,还包括如下步骤:(e1)在所述第一塑封体表面形成一导电层,其中,所述导电层与所述焊垫电连接。

5.根据权利要求4所述的半导体封装方法,其特征在于,在步骤(e1)之后,还包括如下步骤:(e2)在所述导电层上形成至少一引脚,所述引脚通过所述导电层与所述焊垫电连接。

6.根据权利要求5所述的半导体封装方法,其特征在于,在步骤(e2)之后,还包括如下步骤:(e3)塑封所述引脚,形成一第三塑封体,所述引脚背离所述芯片的表面暴露于所述第三塑封体的一表面。

7.根据权利要求6所述的半导体封装方法,其特征在于,在步骤(e3)之后,还包括如下步骤:(e4)在所述引脚表面植球或者形成金属层,以作为所述芯片与外界结构电连接的连接点。

8.根据权利要求1所述的半导体封装方法,其特征在于,所述第一塑封体及第二塑封体材质相同。

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