[发明专利]存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器件，其中，包括:

衬底；

至少一个硅贯穿接触结构，贯穿所述衬底；

至少一个背侧隔离结构，与所述硅贯穿接触结构并列设置，包括贯穿所述衬底的第一沟槽以及位于所述第一沟槽内的绝缘层和导电层，其中，所述绝缘层将所述导电层和所述衬底隔离。

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述硅贯穿接触结构包括贯穿所述衬底的第二沟槽、位于第二沟槽内的绝缘层和导电层以及位于所述第二衬底表面上的绝缘层，其中，所述绝缘层将所述导电层和所述衬底隔离。

3.根据权利要求2所述的存储器件，其中，第一沟槽的宽度小于或者等于所述第二沟槽的宽度。

4.根据权利要求3所述的存储器件，其中，所述第一沟槽的宽度为400nm～600nm。

5.根据权利要求1所述的存储器件，其中，还包括：

背侧互连导电层，位于所述硅贯穿接触结构表面且与所述硅贯穿接触结构接触，所述背侧互连导电层位于所述衬底表面上方，所述背侧互连导电层通过所述硅贯穿接触结构与所述衬底隔离。

6.根据权利要求5所述的存储器件，其中，所述背侧互连导电层与所述背侧隔离结构之间具有间隔。

7.根据权利要求1所述的存储器件，其中，还包括：

栅叠层结构，位于所述衬底第一表面；

至少一个沟道柱，所述沟道柱贯穿所述栅叠层结构且到达所述衬底中。

8.根据权利要求7所述的存储器件，其中，所述第一沟槽贯穿所述栅叠层结构。

9.一种存储器件的制造方法，其中，包括：

沿衬底第二表面形成贯穿所述衬底的至少一个第一沟槽和至少一个第二沟槽；

在所述第一沟槽侧壁处、第二沟槽侧壁处以及靠近所述第二沟槽的部分衬底的第二表面形成绝缘层；

在所述第一沟槽内部、所述第二沟槽内部以及所述绝缘层表面形成导电层，

所述第一沟槽内部的绝缘层、导电层形成背侧隔离结构，所述第二沟槽内部及其衬底的第二表面的绝缘层、导电层形成硅贯穿接触结构。

10.根据权利要求9所述的制造方法，其中，所述第一沟槽的宽度小于或者等于所述第二沟槽的宽度。

11.根据权利要求10所述的制造方法，其中，所述第一沟槽的宽度为400nm～600nm。

12.根据权利要求9所述的制造方法，其中，还包括：

在所述硅贯穿接触结构表面形成与所述硅贯穿接触结构接触的背侧互连导电层，所述背侧互连导电层位于所述衬底第二表面上方，所述背侧互连导电层通过所述硅贯穿接触结构与所述衬底隔离。

13.根据权利要求12所述的制造方法，其中，所述背侧互连导电层与所述背侧隔离结构之间设置有间隔。

14.根据权利要求9所述的制造方法，其中，还包括：

在所述衬底第一表面形成栅叠层结构；

形成贯穿所述栅叠层结构且到达所述衬底中的只扫一个沟道柱。

15.根据权利要求14所述的制造方法，其中，所述第一沟槽贯穿所述栅叠层结构。