[发明专利]一种判断半导体激光器芯片光学灾变类型的方法有效
| 申请号： | 202010783751.0 | 申请日： | 2020-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN111934186B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 任占强;李波;李青民;王宝超;李喜荣;仇伯仓 | 申请（专利权）人： | 西安立芯光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 郑丽红 |
| 地址： | 710077 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 判断 半导体激光器 芯片 光学 灾变 类型 方法 | ||
1.一种判断半导体激光器芯片光学灾变类型的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一、设置加载电流的上升步长和最大值；
步骤二、在芯片测试过程中，根据步骤一确定的上升步长和最大值，将加载电流加载在半导体激光器芯片上；
步骤三、采集半导体激光器芯片的电流-功率曲线、电流-电压曲线；
步骤四、根据步骤三得到的电流-功率曲线、电流-电压曲线，判断半导体激光器芯片的失效类型；
若电流-功率曲线突然下降，同时，电流-电压曲线突然上升，则判断芯片的光学灾变为腔面光学灾变损伤；
若电流-功率曲线突然下降，同时，电流-电压曲线突然下降，则判断芯片的光学灾变为体内光学灾变损伤。
2.根据权利要求1中的判断半导体激光器芯片光学灾变类型的方法，其特征在于：步骤一中，加载电流的上升步长为0.1～1.0A，最大值为半导体激光器芯片额定电流的1.0倍～1.5倍。
3.一种判断半导体激光器芯片光学灾变类型的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一、设置加载电流为恒定值；
步骤二、在芯片老化过程中，根据步骤一确定的恒定值，将加载电流加载在半导体激光器芯片上；
步骤三、采集半导体激光器芯片随时间变化的时间-功率曲线、时间-电压曲线；
步骤四、根据步骤三得到的时间-功率曲线、时间-电压曲线，判断半导体激光器芯片的失效类型；
若时间-功率曲线突然下降，同时，时间-电压曲线突然上升，则判断芯片的光学灾变为腔面光学灾变损伤；
若时间-功率曲线突然下降，同时，时间-电压曲线突然下降，则判断芯片的光学灾变为体内光学灾变损伤。
4.根据权利要求3中的判断半导体激光器芯片光学灾变类型的方法，其特征在于：步骤一中，加载电流的恒定值为半导体激光器芯片的额定电流的1.0倍～1.5倍。
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